Rohm Semiconductor HP8MA2TB1

Herstellerteilenummer

HP8MA2TB1

Hersteller

Y-IC ist ein hochwertiger Distributor der Marke Rohm Semiconductor, der seinen Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen bietet.

Detaillierte Beschreibung

Der HP8MA2TB1 ist ein Dual-MOSFET mit N-Kanal und P-Kanal von Rohm Semiconductor. Er zeichnet sich durch niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit aus, was ihn für verschiedenste Anwendungen im Energiemanagement geeignet macht.

Schlüsselmerkmale

– Dual-MOSFET-Konfiguration mit N-Kanal und P-Kanal

– Geringer RDS(on)

– Hohe Dauer-Sourcedrain-Stromstärke (ID)

– Breiter Spannungsbereich (VDSS)

– Geringe Gate-Ladung (Qg)

– Kompakte Gehäusegröße (8-PowerTDFN)

Wichtigste Vorteile

– Effiziente Stromumwandlung und Steuerung

– Kompaktes Design für raumbezogene Anwendungen

– Zuverlässige Leistung und lange Lebensdauer

Verpackung

– Gehäusetyp: 8-PowerTDFN

– Gehäusematerial: PowerTDFN

– Abmessungen: 3 x 3 x 0,75 mm

– Pin-Belegung: 8-polig

– Thermische Eigenschaften: 3 W (bei Ta)

– Elektrische Eigenschaften: 30 V VDSS, 18 A ID (bei Ta), 15 A ID (bei Ta)

Lebenszyklus

– Das HP8MA2TB1 ist ein aktives Produkt.

– Verfügbare gleichwertige oder alternative Modelle: HP8MA2TB2, HP8MA2TB3.

– Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam auf unserer Webseite.

Schlüsselanwendungsbereiche

– Stromversorgungssteuerungen

– Motorsteuerung

– Batterie-Laden und -Entladen

– LED-Ansteuerung

– Allgemeine Leistungs-Schaltanwendungen

Datenblatt

Das ausführlichste Datenblatt für den HP8MA2TB1 ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen, dieses herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen zu erhalten.

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