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| Artikelnummer: | 2SK2887TL |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 3A CPT3 |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | CPT3 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 1.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 20W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 230 pF @ 10 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3A (Ta) |
| Grundproduktnummer | 2SK2887 |
| 2SK2887TL Einzelheiten PDF [English] | 2SK2887TL PDF - EN.pdf |




2SK2885 HI
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2SK2886 TOS
2SK2895-01_05 F
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2SK2887TLRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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