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| Artikelnummer: | ISL6613ACRZ |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Renesas Electronics Corporation |
| Teil der Beschreibung.: | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannungsversorgung | 10.8V ~ 13.2V |
| Supplier Device-Gehäuse | 10-DFN (3x3) |
| Serie | - |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 26ns, 18ns |
| Verpackung / Gehäuse | 10-VFDFN Exposed Pad |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 125°C (TJ) |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) | 36 V |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | 1.25A, 2A |
| Ladestrom | Synchronous |
| Grundproduktnummer | ISL6613 |
| ISL6613ACRZ Einzelheiten PDF [English] | ISL6613ACRZ PDF - EN.pdf |




ISL6613ACRZ
Intersil – Y-IC ist ein qualitativ hochwertiger Distributor von Intersil-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der ISL6613ACRZ ist ein dualer N-Kanal-MOSFET-Gate-Treiber, der mit einer Versorgungsspannung von 10,8V bis 13,2V arbeitet. Er verfügt über eine non-invertierende Halbbrücken-Konfiguration mit einer Spitzenquellenstromstärke von 1,25A und einer Spitzen-SinksromStärke von 2A. Der Treiber zeichnet sich durch eine typische Anstiegs-/Abfallzeit von 26ns/18ns aus, was ihn für Hochfrequenz-Schaltanwendungen geeignet macht.
Dualer N-Kanal-MOSFET-Gatortreiber
Betriebsspannungsbereich: 10,8V bis 13,2V
Spitzenquellenstrom: 1,25A
Spitzen-SinksromStärke: 2A
Typische Anstiegs-/Abfallzeiten: 26ns/18ns
Non-invertierende Halbbrücken-Konfiguration
Unterstützung für Hochfrequenz-Schaltanwendungen
Effizientes und schnelles Schalten für Hochleistungs-Stromwandlung
Robustes und zuverlässiges Design für Industrieund Automobilanwendungen
Kompakte 10-VFDFN-Gehäuse mit exposed pad für verbesserte thermische Leistungsfähigkeit
Verpackungsart: Tube
Gehäusetyp: 10-VFDFN mit exposed pad (3x3)
Pin-Konfiguration: 10 Pins
Thermische Eigenschaften: Geeignet für Hochtemperaturanwendungen
Elektrische Eigenschaften: Betrieb im Spannungsbereich von 10,8V bis 13,2V
Das Produkt ISL6613ACRZ ist aktiv und befindet sich nicht im Abkündigungsprozess.
Es gibt gleichwertige und alternative Modelle, wie z. B. ISL6613ACUZ und ISL6613ACZ.
Für weitere Informationen zu verfügbaren Alternativen kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam auf der Y-IC-Website.
Hochfrequenz-Stromwandlung
Industrieund Automobil-Leistungselektronik
Wechselrichter, Motortreiber und andere Energiemanagementsysteme
das detaillierte Datenblatt für den ISL6613ACRZ ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Es wird empfohlen, das Datenblatt für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den ISL6613ACRZ auf der Y-IC-Website anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot oder erfahren Sie mehr über Verfügbarkeit und Preis dieses Produkts.
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ISL6613ACRZRenesas Electronics America Inc |
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