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| Artikelnummer: | HUF76121P3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.4166 |
| 200+ | $0.1612 |
| 500+ | $0.1556 |
| 1000+ | $0.1528 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
| Serie | UltraFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 47A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 75W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 850 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 47A (Tc) |
| HUF76121P3 Einzelheiten PDF [English] | HUF76121P3 PDF - EN.pdf |




HUF76121P3
Y-IC ist ein qualifizierter Distributor der Produkte von Fairchild Semiconductor. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Services.
Der HUF76121P3 ist ein N-Kanal-MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) aus der UltraFET™-Serie von Fairchild Semiconductor. Er ist für leistungsstarke Schaltanwendungen im Bereich der Energieversorgung konzipiert.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Kontinuierlicher Drainstrom (Id) bei 25°C 47A
Maximale On-Widerstand (Rds(on)) 21 Milliohm bei 47A, 10V
Maximale Gate-Ladung (Qg) 30nC bei 10V
Betriebstemperaturbereich von -40°C bis 150°C
Hohe Effizienz und schnelle Schaltzeiten für die Energieumwandlung
Robustes Design mit hoher Zuverlässigkeit
Hervorragende thermische Leistungsfähigkeit für Hochleistungsanwendungen
Der HUF76121P3 ist in einem TO-220AB-Durchsteckgehäuse verpackt. Er verfügt über eine 3-Pin-Konfiguration und eignet sich für Anwendungen mit hoher Leistungsaufnahme und thermischer Beanspruchung.
Der HUF76121P3 ist ein aktiv verfügbares Produkt. Es gibt ähnliche oder Alternativmodelle, wie z. B. den FDD76120, mit vergleichbaren Spezifikationen. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam über unsere Webseite für weitere Informationen zu verfügbaren Optionen.
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Das offizielle technischen Datenblatt für den HUF76121P3 ist auf unserer Website verfügbar. Wir empfehlen den Download des Datenblatts für detaillierte technische Informationen.
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HUF76121P3Fairchild Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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