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| Artikelnummer: | MMIX1X200N60B3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IXYS / Littelfuse |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT 600V 223A 625W SMPD |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $64.4301 |
| 200+ | $25.7082 |
| 500+ | $24.8493 |
| 1000+ | $24.4242 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 100A |
| Testbedingung | 360V, 100A, 1Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 48ns/160ns |
| Schaltenergie | 2.85mJ (on), 2.9mJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | 24-SMPD |
| Serie | GenX3™, XPT™ |
| Leistung - max | 625 W |
| Verpackung / Gehäuse | 24-PowerSMD, 21 Leads |
| Paket | Tube |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | PT |
| Gate-Ladung | 315 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 1000 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 223 A |
| Grundproduktnummer | MMIX1X200 |
| MMIX1X200N60B3 Einzelheiten PDF [English] | MMIX1X200N60B3 PDF - EN.pdf |




MMIX1X200N60B3
IXYS ist ein führender Hersteller von Leistungshalbleitern, und Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner von IXYS-Produkten. Y-IC bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der MMIX1X200N60B3 ist ein Hochleistung-IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) von IXYS. Es gehört zur GenX3™- und XPT™-Serie und ist für eine Vielzahl industrieller und leistungselektronischer Anwendungen konzipiert.
PT (Punch Through) IGBT-Technologie
Sperrspannung (Collector-Emitter) von 600 V
Maximaler Kollektorstrom von 223 A
Maximaler gepulster Kollektorstrom von 1000 A
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung von 1,7 V
Maximale Verlustleistung von 625 W
Schaltenergie beim Einschalten (Turn-On) von 2,85 mJ und beim Abschalten (Turn-Off) von 2,9 mJ
Standard-Gate-Eingangstyp
Gate-Ladung von 315 nC
Anstiegsund Abfallverzögerungszeiten von 48 ns bzw. 160 ns
Hohe Leistungsdichte und Effizienz
Robuste und zuverlässige Leistung
Für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet
Röhrchenverpackung
24-PowerSMD-Gehäuse mit 21 Anschlüssen
Oberflächenmontage (SMD) Bauform
Das MMIX1X200N60B3 ist ein aktives Produkt.
Es sind äquivalente oder alternative IGBT-Modelle von IXYS erhältlich. Kunden können sich an das Vertriebsteam von Y-IC wenden, um weitere Informationen zu erhalten.
Leistungselektronik für die Industrie
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Traktion und Transport
Erneuerbare Energiesysteme
Das maßgebliche Datenblatt für den MMIX1X200N60B3 ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den MMIX1X200N60B3 auf der Y-IC-Website anzufordern. Fordern Sie jetzt ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt.
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