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| Artikelnummer: | IXTN79N20 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IXYS / Littelfuse |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 85A SOT227B |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $38.4716 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 20mA |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-227B |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Verlustleistung (max) | 400W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-227-4, miniBLOC |
| Paket | Tube |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 85A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IXTN79 |
| IXTN79N20 Einzelheiten PDF [English] | IXTN79N20 PDF - EN.pdf |




IXTN79N20
IXYS
Der IXTN79N20 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET im SOT-227-4 MiniBLOC-Gehäuse. Er zeichnet sich durch hohe Spannungs- und Stromwerte sowie eine zuverlässige Leistung für verschiedenste Anwendungen aus.
N-Kanal-MOSFET, Drain-Source-Spannung (Vdss) von 200V, Dauer-Drain-Strom (Id) von 85A bei 25°C, maximale Leistungsaufnahme (Pmax) von 400W bei Tc
Hervorragende Leistungsfähigkeit, hohe Spannungs- und Stromfestigkeit, vielseitig einsetzbar in verschiedenen Anwendungsbereichen
SOT-227-4, MiniBLOC-Gehäuse, Chassis-Montage
Das Produkt IXTN79N20 ist nicht mehr erhältlich. Kunden werden gebeten, unsere Vertriebsseite zu besuchen, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.
Netzteile, Motorantriebe, Wechselrichter, industrielle und automotive Anwendungen
Das vollständige technische Datenblatt für den IXTN79N20 finden Sie auf unserer Webseite. Wir empfehlen, es herunterzuladen, um detaillierte Produktspezifikationen zu erhalten.
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