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| Artikelnummer: | IXTK102N30P |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IXYS / Littelfuse |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 300V 102A TO264 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $18.1967 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 500µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-264 (IXTK) |
| Serie | Polar |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 500mA, 10V |
| Verlustleistung (max) | 700W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-264-3, TO-264AA |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7500 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 224 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 300 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 102A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IXTK102 |
| IXTK102N30P Einzelheiten PDF [English] | IXTK102N30P PDF - EN.pdf |




IXTK102N30P
Y-IC ist ein hochwertiger Anbieter von Littelfuse-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IXTK102N30P ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET von Littelfuse. Er zeichnet sich durch eine niedrige On-Widerstandsfähigkeit und schnelle Schaltgeschwindigkeit aus, was ihn für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich der Energieverwaltung geeignet macht.
N-Kanal-MOSFET
Hohe Drain-Source-Spannung (300 V)
Kontinuierlicher Drain-Strom von 102 A bei 25°C
Geringe On-Widerstandsfähigkeit (33 mΩ)
Schnelle Schaltzeit
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Hervorragende Energiehandhabung
Effiziente Stromumwandlung und Steuerung
Zuverlässige und robuste Leistung
Für vielfältige Leistungselektronik-Anwendungen geeignet
Der IXTK102N30P ist in einem TO-264 (IXTK) Durchsteckgehäuse verpackt. Dieses Gehäuse bietet gute thermische und elektrische Eigenschaften und ist ideal für Hochleistungsanwendungen.
Der IXTK102N30P ist ein aktiviertes Produkt. Es gibt Ersatz- oder Alternativmodelle wie den IXTK102N35P und IXTK102N40P. Kunden wird empfohlen, unseren Vertrieb auf der Y-IC-Website zu kontaktieren, um weitere Informationen zu verfügbaren Optionen zu erhalten.
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Industrieund Konsumelektronik
Das offizielle Datenblatt für den IXTK102N30P ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Es wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um die detaillierten technischen Spezifikationen und Leistungsmerkmale dieses Produkts einzusehen.
Kunden wird empfohlen, auf der Y-IC-Website Angebote für den IXTK102N30P anzufordern. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Sonderangebot zu profitieren und die besten Preise für diesen Hochleistungs-MOSFET zu sichern.
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