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| Artikelnummer: | IXTH130N10T |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IXYS / Littelfuse |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 130A TO247 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $5.9527 |
| 10+ | $5.376 |
| 100+ | $4.4508 |
| 500+ | $3.8757 |
| 1000+ | $3.3756 |
| 2000+ | $3.2506 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247 (IXTH) |
| Serie | Trench |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 25A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 360W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5080 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 104 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 130A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IXTH130 |
| IXTH130N10T Einzelheiten PDF [English] | IXTH130N10T PDF - EN.pdf |




IXTH130N10T
IXYS ist ein hochwertiger Hersteller von Leistungshalbleitern, einschließlich des MOSFETs IXTH130N10T. Y-IC ist ein vertrauenswürdiger Händler von IXYS-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IXTH130N10T ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET in einer Durchsteckdose im Gehäuse TO-247. Er gehört zur IXYS-IXTH-Serie von Trench-MOSFETs, die für Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde.
N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannuö von 100 V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 130 A bei 25 °C (Tc)
On-Widerstand von 9,1 Milliohm bei 25 A, 10 V
Gate-Ladung von 104 nC bei 10 V
Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C
Hervorragende Leistung für Hochleistungsanwendungen
Robuste Trench-MOSFET-Technologie
Hohe Stromund Leistungskapazität
Breiter Temperaturbereich für vielseitigen Einsatz
Der IXTH130N10T ist in einem Standard-TO-247-3-Durchsteckgehäuse verpackt. Das Gehäuse bietet gute thermische und elektrische Eigenschaften für Hochleistungsanwendungen.
Das IXTH130N10T ist ein aktives Produkt und derzeit erhältlich. Es können gleichwertige oder alternative Modelle von IXYS existieren. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam über unsere Website für weitere Informationen.
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Das aktuellste Datenblatt für den IXTH130N10T ist auf unserer Website verfügbar. Es wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um alle technischen Spezifikationen zu erhalten.
Fordern Sie auf unserer Website Angebote für den IXTH130N10T an. Erhalten Sie ein Preisangebot, informieren Sie sich oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot noch heute.
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