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| Artikelnummer: | IXGQ35N120BD1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IXYS / Littelfuse |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT 1200V 75A 400W TO3P |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 1200 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.3V @ 15V, 35A |
| Testbedingung | 960V, 35A, 3Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 40ns/270ns |
| Schaltenergie | 900µJ (on), 3.8mJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-3P |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 40 ns |
| Leistung - max | 400 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | - |
| Gate-Ladung | 140 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 75 A |
| Grundproduktnummer | IXGQ35 |
| IXGQ35N120BD1 Einzelheiten PDF [English] | IXGQ35N120BD1 PDF - EN.pdf |




IXGQ35N120BD1
IXYS Corporation. Y-IC ist ein vertrauenswürdiger Distributor der hochwertigen Produkte von IXYS Corporation und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der IXGQ35N120BD1 ist ein diskretes Halbleiterbauteil, das zur Familie der Isolierten Gates Bipolaren Transistoren (IGBT) gehört. Es handelt sich um einen einzelnen IGBT-Transistor mit hoher Spannungsfestigkeit und großer Stromaufnahmefähigkeit.
Hohe Spannungsfestigkeit: 1200V
Hohe Strombelastbarkeit: 75A (kontinuierlich), 200A (impulsartig)
Geringer On-State Spannungsabfall: 3,3V bei 15V, 35A
Schnelle Schaltzeiten: 40ns (Ein) und 270ns (Aus)
Niedrige Gate-Ladung: 140nC
Geeignet für Hochleistungsanwendungen
Hervorragende Leistung in Hochleistungsund Effizienz-Anwendungen
Zuverlässiges und robustes Design für anspruchsvolle Industrieumgebungen
Einfache Integration in Leistungselektronik-Systeme
Effiziente Umwandlung und Steuerung von Energie
Gehäuse: TO-3P-3, SC-65-3
Verpackung: Tube
Thermische Eigenschaften und elektrische Parameter geeignet für Hochleistungsanwendungen
Das Produkt IXGQ35N120BD1 ist aktiv und derzeit verfügbar.
Es gibt gleichwertige und alternative IGBT-Modelle von IXYS Corporation. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam.
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Das aktuellste und authoritative Datenblatt für den IXGQ35N120BD1 ist auf der Website von Y-IC verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte Produktspezifikationen und Leistungsmerkmale zu erhalten.
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