IXYS IXGK120N120B3

Herstellerteilenummer

IXGK120N120B3

Hersteller

IXYS ist ein hochwertiger Distributor der Marke, und Y-IC bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.

Detaillierte Beschreibung

Der IXGK120N120B3 ist ein Hochleistungs-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) aus der GenX3™-Serie, entwickelt für eine Vielzahl von Leistungsschaltanwendungen.

Schlüsselmerkmale

– Spannungsfestigkeit – Kollektor-Emitter (Max): 1200 V

– Strom – Kollektor (Ic) (Max): 200 A

– Pulslaststrom – Kollektor (Icm): 370 A

– Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3 V @ 15 V, 100 A

– Maximale Leistung: 830 W

– Schaltenergie: 5,5 mJ (Ein), 5,8 mJ (Aus)

– Eingangsart: Standard

– Gate-Ladung: 470 nC

– Td (Ein/Aus) @ 25°C: 36 ns / 275 ns

– Prüfbedingungen: 600 V, 100 A, 2 Ohm, 15 V

– Betriebstemperatur: -55°C bis 150°C (TJ)

– Montagetyp: Durchsteckmontage

– Gehäuse / Packung: TO-264-3, TO-264AA

– Lieferanten-Device-Package: TO-264 (IXGK)

Wichtigste Vorteile

– Hohe Spannungs- und Stromhandhabung

– Geringe On-Zustand-Spannung und Schaltverluste

– Robustes Design für zuverlässige Leistung

– Geeignet für vielfältige Leistungsschaltanwendungen

Verpackung

Der IXGK120N120B3 ist in einem Durchsteckgehäuse vom Typ TO-264-3 oder TO-264AA verpackt, das gute thermische und elektrische Eigenschaften bietet.

Lebenszyklus

Der IXGK120N120B3 ist ein aktives Produkt. Es können gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar sein. Kunden empfehlen wir, mit unserem Verkaufsteam über die Webseite Kontakt aufzunehmen, um weitere Informationen zu erhalten.

Schlüsselanwendungsbereiche

Der IXGK120N120B3 eignet sich für eine Vielzahl von Leistungsschaltanwendungen, einschließlich, aber nicht beschränkt auf:

Motorantriebe

Netzteile

Industrieausrüstung

Erneuerbare Energien

Systeme

Datenblatt

Das autoritative Datenblatt für den IXGK120N120B3 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Informationen zu erhalten.

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