Deutsch

| Artikelnummer: | IXFN80N50P |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IXYS / Littelfuse |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 500V 66A SOT227B |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $23.1613 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-227B |
| Serie | HiPerFET™, Polar |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 500mA, 10V |
| Verlustleistung (max) | 700W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-227-4, miniBLOC |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12700 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 195 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 66A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IXFN80 |
| IXFN80N50P Einzelheiten PDF [English] | IXFN80N50P PDF - EN.pdf |




IXFN80N50P
IXYS ist ein hochwertiger Hersteller von Leistungshalbleitern, einschließlich des IXFN80N50P MOSFETs. Y-IC ist ein autorisierter Händler von IXYS-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IXFN80N50P ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus der HiPerFET™ Polar-Serie von IXYS. Er wurde für ein breites Spektrum an Leistungswandler- und Steuerungsanwendungen entwickelt.
500V Drain-Source-Spannung
66A Dauer-Drain-Strom bei 25°C
Maximaler On-Widerstand von 65mΩ
Maximale Gate-Ladung von 195nC
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Gehäuse: SOT-227B
Hohe Leistungsdichte und Effizienz
Robust und zuverlässig
Breiter Betriebstemperaturbereich
Geeignet für verschiedene Leistungswandleranwendungen
Der IXFN80N50P wird im SOT-227B (miniBLOC) Gehäuse geliefert. Er ist in Röhrenverpackung erhältlich.
Der IXFN80N50P ist ein aktives Produkt. Es gibt mehrere gleichwertige oder alternative Modelle von IXYS, wie z. B. den IXFN80N50P2 und IXFN80N50P3. Für weitere Informationen zu diesen Optionen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam.
Netzteile
Motorantriebe
Vorschaltgeräte für Beleuchtungen
Wechselrichter
Schweißgeräte
Industrielle Automatisierung
Das zuverlässigste Datenblatt für den IXFN80N50P ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsinformationen zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den IXFN80N50P auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie ein Angebot an, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot, um die beste Lösung für Ihre Leistungselektronikprojekte zu finden.
MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B
IXYS New
IGBT Modules
MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
IGBT Modules
IGBT Modules
MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
IGBT Modules
IGBT Modules
IGBT Modules
MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
IXYS New
MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B
IGBT Modules
IGBT Modules
MOSFET N-CH 1000V 74A SOT227B
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
MOSFET N-CH 500V 72A SOT227B
IGBT Modules
IGBT Modules
2026/05/12
2026/05/8
2026/04/28
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






IXFN80N50PIXYS |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|