Deutsch

| Artikelnummer: | IXFN60N80P |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IXYS / Littelfuse |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $30.09 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-227B |
| Serie | HiPerFET™, Polar |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1040W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-227-4, miniBLOC |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 18000 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 53A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IXFN60 |
| IXFN60N80P Einzelheiten PDF [English] | IXFN60N80P PDF - EN.pdf |




IXFN60N80P
IXYS ist ein hochwertiger Distributor der Marke, und Y-IC bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IXFN60N80P ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus der IXYS HiPerFET™ Polar-Serie. Dieses Bauteil ist für Hochleistungs- und Hochspannungs-Schaltanwendungen konzipiert.
N-Kanal-MOSFET mit 800 V Drain-Source-Spannung
Kontinuierlicher Drain-Strom von 53 A bei 25 °C Gehäusetemperatur
Niediger On-Widerstand von 140 mΩ bei 30 A, 10 V
Hohe Leistungsaufnahme von 1040 W bei 25 °C Gehäusetemperatur
Weites Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C
Hervorragende Leistung für Hochleistungsund Hochspannungs-Schaltungen
Effiziente Energieumwandlung mit geringen Leitungsverlusten
Zuverlässiger Betrieb auch unter extremen Umweltbedingungen
Der IXFN60N80P ist in einem SOT-227-4, miniBLOC Gehäuse montiert. Das robuste Design bietet hohe thermische und elektrische Leistungsfähigkeit.
Das IXFN60N80P ist ein aktiviertes Produkt, für das es gleichwertige oder alternative Modelle gibt. Kunden werden empfohlen, sich bei Y-IC über die Webseite an das Vertriebsteam zu wenden, um weitere Informationen zu erhalten.
Netzteile
Motorsteuerungen
Inverter
Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)
Schweißgeräte
Industrielle Automatisierung und Steuerung
Das autorisierteste Datenblatt für den IXFN60N80P finden Sie auf der Y-IC-Website. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um vollständige Produktspezifikationen und Leistungsdetails zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den IXFN60N80P auf der Y-IC-Website anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot, um den besten Preis für dieses Hochleistungs-MOSFET zu erhalten.
IGBT Modules
MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B
MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B
MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B
MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
MOSFET N-CH 600V 50A SOT227B
MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
IGBT Modules
IXYS New
IGBT Modules
MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B
MOSFET N-CH 500V 61A SOT227B
IXYS New
IGBT Modules
IXYS New
MOSFET N-CH 500V 50A SOT227B
IGBT Modules
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel







2024/10/23
2024/04/13
2024/09/18
2025/07/16
IXFN60N80PIXYS |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|