Deutsch

| Artikelnummer: | IXFN120N20 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IXYS / Littelfuse |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $35.1751 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 8mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-227B |
| Serie | HiPerFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 500mA, 10V |
| Verlustleistung (max) | 600W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-227-4, miniBLOC |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9100 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 360 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 120A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IXFN120 |
| IXFN120N20 Einzelheiten PDF [English] | IXFN120N20 PDF - EN.pdf |




IXFN120N20
Y-IC ist ein qualitativ hochwertiger Händler von Produkten der Marke IXYS. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IXFN120N20 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus der HiPerFET™-Serie. Er sorgt für hervorragende Effizienz und Zuverlässigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen der Leistungselektronik.
N-Kanal-MOSFET
MOSFET-Technologie (Metall-Oxid-Halbleiter)
Drain-Source-Spannung (Vdss) von 200V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) von 120A bei 25°C
Geringer On-Widerstand (Rds(on)) von 17mΩ
Schnelle Schaltcharakteristika
Hohe Leistungsdichte und Effizienz
Hervorragendes thermales Management
Zuverlässige Leistung auch in anspruchsvollen Umgebungen
Verpackt in einem SOT-227-4 MiniBLOC Gehäuse für die Montage
Rohrverpackung
Der IXFN120N20 wird für neue Designs nicht mehr empfohlen. Es sind jedoch äquivalente oder alternative Modelle von IXYS erhältlich. Bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam über unsere Webseite für weitere Informationen.
Schaltnetzteile
Motorantriebe
Induktionsheizung
Solarwechselrichter
Industrielle Automatisierung
Das offiziellste Datenblatt für den IXFN120N20 steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden werden empfohlen, es für detaillierte Produktspezifikationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote über unsere Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um mehr über dieses Produkt und unser aktuelles Sonderangebot zu erfahren.
IGBT Modules
DISCRETE MOSFET 110A 650V X3 SOT
IXYS New
MOSFET N-CH 650V 78A SOT227B
DISCRETE MOSFET 120A 600V X3 SOT
IGBT Modules
IGBT Modules
SICARBIDE-DISCRETE MOSFET SOT-22
MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B
MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B
DISCRETE MOSFET 130A 650V X3 SOT
IGBT Modules
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
MOSFET N-CH 650V 108A SOT227B
IGBT Modules
MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B
IGBT Modules
MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B
MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B
IGBT Modules
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2024/12/17
2024/04/27
2025/06/18
2025/01/26
IXFN120N20IXYS |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|