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| Artikelnummer: | IPB80N04S4L04ATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.6311 |
| 10+ | $2.3642 |
| 100+ | $1.9004 |
| 500+ | $1.5613 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 35µA |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 80A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 71W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4690 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IPB80N |
| IPB80N04S4L04ATMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPB80N04S4L04ATMA1 PDF - EN.pdf |




IPB80N04S4L04ATMA1
Y-IC ist ein qualitativ hochwertiger Distributor von Produkten der Infineon Technologies. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IPB80N04S4L04ATMA1 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus der OptiMOS™-Familie von Infineon Technologies. Er ist für eine Vielzahl von Leistungsmanagement- und Steuerungsanwendungen konzipiert.
N-Kanal-MOSFET
40V Drain-Source-Spannung
80A Dauer-Drain-Strom
Geringer On-Widerstand (4mΩ)
Schnelle Schaltzeiten
Extrem niedrige Gate-Ladung (60nC)
Breiter Betriebstemperaturbereich (-55°C bis 175°C)
Herausragende Effizienz und Leistungsdichte
Robuste und zuverlässige Leistung
Geeignet für Hochstromund Hochleistungsanwendungen
Einfach zu steuern und zu integrieren
T&R-Verpackung (Reel)
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Bodenplatte), TO-263AB-Gehäuse
Oberflächenmontagetechnik (SMD)
Das IPB80N04S4L04ATMA1 ist ein aktives Produkt.
Entsprechende oder alternative Modelle:
- IPB080N04S4L-04
- IPB080N04S4L-04ATMA1
Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam über unsere Webseite.
Netzteile
Motorantriebe
Wechselrichter
Umrichter
Industrieund Automobiltechnik
Das offizielle Datenblatt für den IPB80N04S4L04ATMA1 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsdaten herunterzuladen.
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MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
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