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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPB054N08N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB054N08N3GATMA1 Image
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Infineon Technologies IPB054N08N3GATMA1

Artikelnummer: IPB054N08N3GATMA1
Hersteller / Marke: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung.: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Datenblätte:
1.IPB054N08N3GATM.pdf ···

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    Produkteigenschaften Eigenschaften
    VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA
    Vgs (Max) ±20V
    Technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3
    Serie OptiMOS™
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4mOhm @ 80A, 10V
    Verlustleistung (max) 150W (Tc)
    Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Paket Tape & Reel (TR)
    Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Befestigungsart Surface Mount
    Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4750 pF @ 40 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V
    Typ FET N-Channel
    FET-Merkmal -
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
    Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V
    Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)
    Grundproduktnummer IPB054
    IPB054N08N3GATMA1 Einzelheiten PDF [English] IPB054N08N3GATMA1 PDF - EN.pdf
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    - Foto der Teile
    - Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
    Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.
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