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| Artikelnummer: | IPB026N06NATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.312 |
| 10+ | $2.0752 |
| 100+ | $1.6683 |
| 500+ | $1.3707 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 75µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 100A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3W (Ta), 136W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4100 pF @ 30 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 25A (Ta), 100A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IPB026 |
| IPB026N06NATMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPB026N06NATMA1 PDF - EN.pdf |




IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies. Y-IC ist ein vertrauenswürdiger Distributor von Infineon-Produkten und bietet Kunden hochwertige Komponenten sowie exzellenten Service.
Der IPB026N06NATMA1 ist ein N-Kanal-MOSFET aus Infineons OptiMOS™-Serie. Er ist für eine Vielzahl von Leistungsmanagement- und Schaltanwendungen ausgelegt.
60 V Drain-Source-Spannung (Vdss)
25 A Dauerstrom (Id) bei 25°C (Ta)
100 A Dauerstrom (Id) bei 25°C (Tc)
Geringer On-Widerstand (Rds(on)) von 2,6 mΩ bei 100 A, 10 V
Schnelle Schaltzeiten und niedrige Gate-Ladung (Qg) von 56 nC bei 10 V
Hervorragende thermische und elektrische Leistung
Zuverlässiges und robustes Design
Optimiert für Effizienz in der Energieumwandlung
Tape & Reel (TR) Verpackung
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Kühlkörper), TO-263AB Gehäuse
Für Oberflächenmontage (SMT) geeignet
Das IPB026N06NATMA1 ist ein aktives Produkt. Es sind gleichwertige und alternative Modelle von Infineon erhältlich. Bei Bedarf an Unterstützung bei der Auswahl der besten Lösung für Ihre Anwendung wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über die Y-IC-Website.
Wechselstromnetzteile (SMPS)
Motortreiber
Wechselrichter
Leistungsfaktor-Korrektur (PFC)
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das aktuellste Datenblatt für den IPB026N06NATMA1 finden Sie auf der Y-IC-Website. Wir empfehlen, das Datenblatt herunterzuladen, um stets die neuesten Produktinformationen zu erhalten.
Kunden werden ermutigt, Angebote für den IPB026N06NATMA1 auf der Y-IC-Website einzuholen. Fordern Sie noch heute ein Angebot an, um von unseren wettbewerbsfähigen Preisen und unserem hervorragenden Service zu profitieren.
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
IPB027N10N3 G INFINEON
Infineon TO-263
IPB026N06N INFINEO
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IPB027N10N3G INFINEO
INFINEON TO-263
IPB026N06N(026N06N) INFINEON
INFINEON TO-263-7
INFINEON TO263
TRENCH >=100V
IPB025N10N3G INFINEO
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
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Zielpreis (USD)
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