Deutsch
| Artikelnummer: | IRL6342TRPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SO |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.2106 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10µA |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.6mOhm @ 9.9A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1025 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9.9A (Ta) |
| Grundproduktnummer | IRL6342 |
| IRL6342TRPBF Einzelheiten PDF [English] | IRL6342TRPBF PDF - EN.pdf |




IRL6342TRPBF
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von IR, einer führenden Marke in der Branche, und wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Services.
Der IRL6342TRPBF ist ein N-Kanal-MOSFET von IR, der für Hochleistungs-Schaltanwendungen im Bereich der Energieversorgung entwickelt wurde.
– N-Kanal-MOSFET
– 30V Drain-Source-Spannung
– 9,9A Dauer-Drain-Strom
– Maximaler On-Widerstand von 14,6 mOhm
– Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
– Effiziente Schaltfunktion bei Energieübertragung
– Hohe Strombelastbarkeit
– Geringer On-Widerstand für niedrigen Energieverlust
– Zuverlässige Leistung bei extremen Temperaturen
Tape & Reel (TR) Verpackung
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) Oberflächenmontagegehäuse
RoHS-konforme, bleifreie Fertigung
Dieses Produkt steht derzeit nicht vor der Ausmusterung
Entsprechende oder alternative Modelle: IRL6342S, IRL6342NPBF
Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam
– Stromversorgungen
– Motortreiber
– Schaltregler
– Industrielle Steuerungen
Das offizielle Datenblatt für den IRL6342TRPBF ist auf unserer Website verfügbar. Wir empfehlen Kunden, es herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, ein Angebot auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich noch heute ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt!
IRL6342TRPBF. IR
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SO
VBSEMI SO-8
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
IR 8-SOIC
MOSFET N-CH 200V 17A TO-220AB
VBSEMI SOP-8
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
IRL640/ SiHL640 VIS
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
IR SOP-8
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
IR SOP-8
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/07/21
2025/06/24
2025/02/17
2024/12/30
IRL6342TRPBFInfineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|