Deutsch
| Artikelnummer: | IRFIB8N50KPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220-3 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 4A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 45W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2160 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 89 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6.7A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IRFIB8 |
| IRFIB8N50KPBF Einzelheiten PDF [English] | IRFIB8N50KPBF PDF - EN.pdf |




IRFIB8N50KPBF
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Vishay-Markenprodukten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IRFIB8N50KPBF ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET im Gehäuse TO-220-3, entwickelt für eine Vielzahl von Leistungsumwandlungs- und Schaltanwendungen.
– 500 V Drain-Source-Spannung
– 6,7 A Dauer-Drainstrom bei 25°C
– Maximaler On-Widerstand von 350 mΩ bei 4A, 10V
– Maximaler Gate-Ladungswert von 89 nC bei 10V
– Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
– Hohe Spannungs- und Strombelastbarkeit
– Niedriger On-Widerstand für effiziente Energieumwandlung
– Zuverlässige Leistung in einem weiten Temperaturbereich
Das IRFIB8N50KPBF ist in einem vollisolierten TO-220-3 Gehäuse mit isoliertem Tab verpackt. Dieses Gehäuse bietet gute thermische und elektrische Eigenschaften und ist für verschiedene Leistungsanwendungen geeignet.
Das IRFIB8N50KPBF ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden empfohlen, unseren Vertrieb über die Webseite zu kontaktieren, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.
Netzteile
Motorsteuerungen
Wechselrichter
Schaltregler (SMPS)
Industrielle und Unterhaltungselektronik
Das offizielle Datenblatt für den IRFIB8N50KPBF ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsinformationen zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den IRFIB8N50KPBF auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt und unser weiteres Portfolio.
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220FP
IRFIB9N60A IR
IRFIBC30 IR
MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP
MOSFET N-CH 500V 6.8A TO220-3
IRFIB7N60C3PBF IR
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220FP
MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3
MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220-3
IRFIB7N50L IR
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3
VISHAY TO-220F
MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3
MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220FP
MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220FP
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3
MOSFET N-CH 500V 6.8A TO220FP
VISHAY TO-220F
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2024/04/27
2024/04/26
2023/12/20
2025/06/30
IRFIB8N50KPBFVishay Siliconix |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|