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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH8337TR2PBF
Infineon Technologies
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Infineon Technologies IRFH8337TR2PBF

Artikelnummer: IRFH8337TR2PBF
Hersteller / Marke: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung.: MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
Datenblätte:
1.IRFH8337TR2PBF.pdf ···

Datenblätter

IRFH8337TR2PbF.pdf

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    Produkteigenschaften Eigenschaften
    VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
    Technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6)
    Serie -
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.8mOhm @ 16.2A, 10V
    Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN
    Paket Cut Tape (CT)
    Befestigungsart Surface Mount
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 10 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V
    Typ FET N-Channel
    FET-Merkmal -
    Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V
    Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Ta), 35A (Tc)
    IRFH8337TR2PBF Einzelheiten PDF [English] IRFH8337TR2PBF PDF - EN.pdf
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