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| Artikelnummer: | IRFB4610PBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.2569 |
| 10+ | $2.0256 |
| 100+ | $1.6283 |
| 500+ | $1.3378 |
| 1000+ | $1.1084 |
| 2000+ | $1.032 |
| 5000+ | $0.9938 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 44A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 190W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3550 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 73A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IRFB4610 |
| IRFB4610PBF Einzelheiten PDF [English] | IRFB4610PBF PDF - EN.pdf |




IRFB4610PBF
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Produkten von Infineon Technologies und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IRFB4610PBF ist ein N-Kanal-MOSFET von Infineon Technologies. Er ist ein Hochleistungs-LeistungsmOSFET, das für eine Vielzahl von Anwendungen in der Energieumwandlung und Steuerung konzipiert ist.
100V Drain-Source-Spannung
73A Dauer-Gate-Strom
Geringer On-Widerstand (RDS(on) = 14mΩ)
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Robuste Avalanche-Fähigkeit
Geeignet für Schaltanwendungen
Hervorragende Leistung und Zuverlässigkeit
Hohe Leistungsdichte
Effiziente Energieumwandlung
Zuverlässiger Betrieb in rauen Umgebungen
Gehäuse in einem TO-220AB Durchsteckgehäuse
Robuste und zuverlässige Bauweise
Geeignet für Hochleistungsanwendungen
Dieses Produkt wird für neue Designs nicht empfohlen
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