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| Artikelnummer: | IRFB4227PBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.0653 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 46A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 330W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4600 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 65A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IRFB4227 |
| IRFB4227PBF Einzelheiten PDF [English] | IRFB4227PBF PDF - EN.pdf |




IRFB4227PBF
Infineon Technologies
Der IRFB4227PBF ist ein Hochleistungs-N-Kanal-Leistungstransistor von Infineon Technologies. Er zeichnet sich durch eine geringe On-Widerstand und hohe Strombelastbarkeit aus, wodurch er für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich der Stromversorgung und Steuerung geeignet ist.
N-Kanal-Leistungstransistor
HEXFET®-Serie
200V Drain-Source-Spannung
65A Dauer-Drain-Strom
Geringer On-Widerstand (max. 24mΩ bei 46A, 10V)
Hohe Leistungsaufnahme (max. 330W bei Tc)
Betriebstemperaturbereich von -40°C bis 175°C
Durchkontaktierte Gehäuseart TO-220AB
Hervorragende Leistung in den Bereichen Stromversorgung und Steuerung
Zuverlässiges und langlebiges Design
Effiziente Stromumwandlung und Steuerung
Breiter Einsatzbereich bei unterschiedlichen Temperaturen
Der IRFB4227PBF ist in einem Standard-TO-220AB-Durchkontaktgehäuse verpackt. Dieses Gehäuse bietet ausgezeichnete thermische und elektrische Eigenschaften für das Bauteil.
Der IRFB4227PBF ist ein aktives Produkt, das von Infineon Technologies kontinuierlich gefertigt und unterstützt wird. Es gibt vergleichbare oder alternative Modelle, bei Fragen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über die Y-IC-Website.
Stromversorgungen
Motorantriebe
Industriesteuerungen
Automotive-Elektronik
Schaltregler
Das offizielle Datenblatt für den IRFB4227PBF ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Wir empfehlen Ihnen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Informationen und Spezifikationen zu erhalten.
Wir empfehlen Ihnen, ein Angebot für den IRFB4227PBF auf der Y-IC-Website anzufordern. Erhalten Sie ein Angebot oder informieren Sie sich über dieses Produkt sowie unsere zeitlich begrenzten Aktionsangebote.
IRFB4227 IR
IR TO-220
MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB
MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
IRFB4228 - 12V-300V N-CHANNEL PO
MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB
IRFB4229 IR
MOSFET N-CH 230V 56A TO220AB
IR/VISHAY TO-220AB
MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB
IRFB4212 IR/VISHAY
IR TO-220-3
MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB
MOSFET N-CH 300V 38A TO220
TRENCH >=100V
MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB
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IRFB4227PBFInfineon Technologies |
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