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| Artikelnummer: | IRF9530NSTRRPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.8745 |
| 200+ | $0.3398 |
| 500+ | $0.3267 |
| 800+ | $0.3209 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 8.4A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3.8W (Ta), 79W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 14A (Tc) |
| IRF9530NSTRRPBF Einzelheiten PDF [English] | IRF9530NSTRRPBF PDF - EN.pdf |




IRF9530NSTRRPBF
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Infineon Technologies, einem weltweit führenden Halbleiterhersteller. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Services.
Der IRF9530NSTRRPBF ist ein P-Kanal-LeistungsmOSFET von Infineon Technologies. Er gehört zur HEXFET®-Serie und basiert auf modernster Metall-Oxide-Halbleiter-Feldeffekttransistor-Technologie.
100V Drain-Source-Spannung (Vdss)\n14A Dauer-Drain-Strom (Id) bei 25°C\nMaximaler On-Widerstand (Rds(on)) von 200mΩ bei 8,4A, 10V\nMaximaler Gate-Ladung (Qg) von 58nC bei 10V\nGate-Source-Spannung (Vgs) von ±20V\nMaximaler Eingangskapasitätswert (Ciss) von 760pF bei 25V
Hervorragende Leistungsfähigkeit\nNiedriger On-Widerstand für effiziente Stromumwandlung\nSchnelle Schaltzeiten für Hochfrequenzanwendungen\nBreiter Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
Oberflächenmontierter D2PAK (TO-263-3)-Gehäuse mit 2 Anschlussleitungen und einem Anschlussfuß.
Das IRF9530NSTRRPBF ist ein veraltetes Produkt. Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Kunden werden empfohlen, unser Verkaufsteam über die Webseite für weitere Informationen zu kontaktieren.
Stromversorgungen\nGleichstrom-Gleichstrom-Wandler (DC-DC-Umrichter)\nMotorenansteuerungen\nBeleuchtung\nIndustrielle Steuerungen
Das offiziell anerkannte Datenblatt für den IRF9530NSTRRPBF ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie noch heute ein Angebot an, um von diesem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
IR TO-263
IRF9530NPBF. IR
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