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| Artikelnummer: | IRF8113TR |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 17.2A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2910 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 17.2A (Ta) |
| IRF8113TR Einzelheiten PDF [English] | IRF8113TR PDF - EN.pdf |




IRF8113TR
Infineon Technologies (Y-IC ist ein Qualitätshändler für Produkte von Infineon und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen)
Der IRF8113TR ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET von Infineon Technologies. Er zeichnet sich durch niedrigen RDS(ON), schnelle Schaltzeiten und hohe Stromkapazitäten aus, wodurch er für eine Vielzahl von Leistungsmanagement- und Schaltanwendungen geeignet ist.
N-Kanal-MOSFET
HEXFET®-Technologie
Niedriger RDS(ON) (max. = 5,6 mOhm)
Hohe Drain-Stromstärke (max. = 17,2 A)
Schnelle Schaltfähigkeit
Breiter Gate-Source-Spannungsbereich (VGS max. = ±20 V)
Verbesserte Effizienz bei Leistungsumwandlung und -steuerung
Geringerer Energieverbrauch und Wärmeerzeugung
Zuverlässige und langlebige Leistung
Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Leistungsmanagementund Schaltkreisen
Oberflächenmontierte Bauform: 8-SOIC (0,154 Zoll, 3,90 mm Breite)
Standard-SOIC-Abmessungen und Pin-Konfiguration
Gut geeignet für automatisierte Bestückungsprozesse
Thermische und elektrische Eigenschaften sind auf effiziente Stromhandhabung optimiert
Der IRF8113TR ist ein veraltetes Produkt
Kunden werden gebeten, nach verfügbaren gleichwertigen oder alternativen Modellen zu suchen
Für weitere Informationen kontaktieren Sie bitte unser Verkaufsteam über die Y-IC Webseite
Netzteile
Motorsteuerungen
Schaltregler
Wechselrichter
Batterieladegeräte
Allgemeine Leistungsmanagementund Steuerungsanwendungen
Das aktuellste Datenblatt für den IRF8113TR steht auf der Y-IC Webseite zum Download bereit. Kunden werden ermutigt, das Datenblatt mit detaillierten technischen Spezifikationen und Leistungsdaten herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den IRF8113TR auf der Y-IC Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an oder informieren Sie sich über dieses Produkt und weitere Lösungen von Infineon, die von Y-IC angeboten werden.
IOR SOP-8
IRF8113UTRPBF IOR
8A, 500V, 0.850 OHM, N-CHANNEL P
IR SOP-8
IRF SOP-8
IRF807VD1 IR
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
IOR SOP-8
IR SOP-8
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
IRF807VD2TRPBF IR
2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL
IRF8113TRPBF. IR
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
HEXFET POWER MOSFET
IRF807VD1TRPBF IOR
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IRF8113TRInfineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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