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| Artikelnummer: | IRF7453TR |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 1.3A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 930 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.2A (Ta) |
| IRF7453TR Einzelheiten PDF [English] | IRF7453TR PDF - EN.pdf |




IRF7453TR
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Der IRF7453TR ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung (Vdss) von 250V und einem Dauer-Drain-Strom (Id) von 2,2A bei 25 °C. Er gehört zur HEXFET®-Serie und basiert auf der MOSFET-Technologie (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor).
N-Kanal-MOSFET
HEXFET®-Serie
250V Drain-Source-Spannung (Vdss)
2,2A Dauer-Drain-Strom (Id) bei 25 °C
Geringer On-Widerstand (Rds(on))
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Geringer On-Widerstand für effiziente Stromumwandlung
Zuverlässiges und langlebiges MOSFET-Design
Tape & Reel (TR) Verpackung
8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)
Oberflächenmontagebauteil (SMD)
Der IRF7453TR ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden gebeten, unsere Vertriebsteam über die Webseite zu kontaktieren, um Informationen über gleichwertige oder alternative Modelle zu erhalten.
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