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| Artikelnummer: | IRF7233TRPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 9.5A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6000 pF @ 10 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74 nC @ 5 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9.5A (Ta) |
| IRF7233TRPBF Einzelheiten PDF [English] | IRF7233TRPBF PDF - EN.pdf |




IRF7233TRPBF
Infineon Technologies
Der IRF7233TRPBF ist ein P-Kanal MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 12 V und einem Dauer-Draulaststrom von 9,5 A bei 25 °C. Er gehört zur HEXFET®-Serie und zeichnet sich durch geringe On-Widerstände, schnelle Schaltgeschwindigkeiten und hohe Zuverlässigkeit aus.
P-Kanal MOSFET
12 V Drain-Source-Spannung
9,5 A Dauer-Draulaststrom bei 25 °C
Geringer On-Widerstand
Schnelle Schaltzeiten
Hohe Zuverlässigkeit
Hervorragende Leistungsfähigkeit
Effizientes Energiemanagement
Zuverlässige Performance
Vielfältige Einsatzmöglichkeiten
8-SOIC-Gehäuse (0,154" x 3,90 mm Breite), Oberflächenmontage
Geeignet für automatisierte Fertigungslinien
Dieses Produkt ist veraltet.
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