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| Artikelnummer: | IRF6898MTRPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 25V 40A/214A DIRECT |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.1613 |
| 200+ | $0.4494 |
| 500+ | $0.4335 |
| 1000+ | $0.4262 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DirectFET™ Isometric MX |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1mOhm @ 40A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.8W (Ta), 78W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | DirectFET™ Isometric MX |
| Paket | Bulk |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5630 pF @ 13 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | Schottky Diode (Body) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 40A (Ta), 214A (Tc) |
| IRF6898MTRPBF Einzelheiten PDF [English] | IRF6898MTRPBF PDF - EN.pdf |




IRF6898MTRPBF
Y-IC ist ein qualifizierter Distributor von Produkten der Marke International Rectifier (Infineon Technologies). Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IRF6898MTRPBF ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET in einem DirectFET MX Gehäuse. Er bietet hohe Effizienz und Leistung bei einer Vielzahl von Leistungsmanagement-Anwendungen.
N-Kanal-MOSFET
Schottky-Diode (Körper)
DirectFET MX Gehäuse
Geringe On-Widerstände
Hohe Strombelastbarkeit
Breiter Betriebstemperaturbereich
Ausgezeichnete thermische Leistung
Kompakte und platzsparende Bauweise
Zuverlässige und langlebige Konstruktion
Geeignet für Hochleistungsanwendungen
Gehäuse: DirectFET MX
Verpackung: Spule & Rolle (Tape & Reel, TR)
Thermische Eigenschaften: Max. Leistungsdissipation von 2,1 W (Ta) und 78 W (Tc)
Elektrische Eigenschaften: Drain-Source-Spannung (Vdss) von 25 V, Dauer-Drain-Strom (Id) von 35 A (Ta) und 213 A (Tc)
Der IRF6898MTRPBF ist ein aktives Produkt. Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam über unsere Website für weitere Informationen.
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