Deutsch
| Artikelnummer: | IRF6725MTR1PBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DIRECTFET™ MX |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 28A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.8W (Ta), 100W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | DirectFET™ Isometric MX |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4700 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 28A (Ta), 170A (Tc) |
| IRF6725MTR1PBF Einzelheiten PDF [English] | IRF6725MTR1PBF PDF - EN.pdf |




IRF6725MTR1PBF
Y-IC ist ein qualitätsorientierter Distributor von Infineon Technologies (ehemals International Rectifier), einem führenden Hersteller von Halbleiterprodukten. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IRF6725MTR1PBF ist ein N-Kanal-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse. Er wurde für Hochleistungs-Stromkonvertierungsanwendungen entwickelt.
N-Kanal-MOSFET
30V Drain-Source-Spannung
28A Dauer-Drain-Strom bei 25°C (170A bei Gehäuse-Temperatur)
Maximale On-Widerstand von 2,2mΩ
Maximale Gate-Kapazität von 54nC
Betriebstemperaturbereich von -40°C bis 150°C
Hohe Leistungsdichte und Effizienz
Geringer On-Widerstand für niedrige Leitungverluste
Kompaktes DirectFET MX-Gehäuse für platzsparende Designs
Geeignet für Hochfrequenz-, Hochstrom-Stromwandlungsanwendungen
Tape & Reel (TR) Verpackung
Oberflächenmontagegehäuse DirectFET MX
Thermische und elektrische Eigenschaften sind auf Hochleistungsanwendungen optimiert
Dieses Produkt ist nicht von einer baldigen Einstellung bedroht.
Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über die Website.
Netzteile
Wechselrichter
Motorantriebe
Elektrofahrzeuge
Industrieverständigung
Das offizielle Datenblatt für den IRF6725MTR1PBF ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für vollständige technische Details herunterzuladen.
Kunden werden dazu ermutigt, Angebote auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot, um mehr über dieses zeitlich befristete Angebot zu erfahren.
MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
IR DF2-MA
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
IRF6726 - 12V-300V N-CHANNEL POW
IRF6726 - 12V-300V N-CHANNEL POW
IR New
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
IRF6724MTR1PBF. IR
IRF6724MTRPBF. IR
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
IRF6723M2DTRPBF. IR
IRF6725MTR1PBF. IR
IR DIRECTFET
IRF6728L2TRPBF IR
DIRECTFET POWER MOSFET
MOSFET N-CH 30V 27A/150A DIRECT
MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2023/12/20
2025/02/11
2025/01/21
2025/06/30
IRF6725MTR1PBFInfineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|