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| Artikelnummer: | IRF6608TR1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DIRECTFET™ ST |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 13A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | DirectFET™ Isometric ST |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2120 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 13A (Ta), 55A (Tc) |
| IRF6608TR1 Einzelheiten PDF [English] | IRF6608TR1 PDF - EN.pdf |




IRF6608TR1
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Produkten von Infineon Technologies (ehemals International Rectifier) und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IRF6608TR1 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-Leistungstransistor im DirectFET ST-Gehäuse, konzipiert für den Einsatz in verschiedenen Strommanagement- und Steuerungsanwendungen.
N-Kanal-MOSFET
30V Drain-Source-Spannung
13A Dauer-Drainstrom (Ta), 55A (Tc)
9 mOhm On-Widerstand bei 13A, 10V
24nC Gate-Charge bei 4,5V
Betriebstemperaturbereich von -40°C bis 150°C
DirectFET ST-Gehäuse
Hohe Leistungsdichte und effiziente Energieumwandlung
Hervorragende thermische und elektrische Leistung
Kompaktes und platzsparendes Gehäusedesign
Geeignet für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen
Gehäusetyp: DirectFET ST
Verpackung: Band & Reel (TR)
Pin-Konfiguration: Oberflächenmontage
Thermische Eigenschaften: 2,1W (Ta), 42W (Tc) Leistungsaufnahme
Elektrische Eigenschaften: 30V Drain-Source-Spannung, 13A (Ta) / 55A (Tc) Drainstrom, 9 mOhm On-Widerstand
Der IRF6608TR1 ist ein aktiv bewertetes Produkt. Es sind gleich- oder alternativmodelle erhältlich. Kunden werden empfohlen, sich über die Website von Y-IC an unser Verkaufsteam zu wenden, um weitere Informationen zu erhalten.
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Das autoritativste Datenblatt für den IRF6608TR1 steht auf der Website von Y-IC zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt für vollständige technische Informationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote auf der Website von Y-IC anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot, um den besten Preis und Service für den IRF6608TR1 zu erhalten.
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