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| Artikelnummer: | AUIRLR3636 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D-Pak |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 50A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 143W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Bulk |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3779 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
| AUIRLR3636 Einzelheiten PDF [English] | AUIRLR3636 PDF - EN.pdf |




AUIRLR3636
Y-IC ist ein hochwertiger Vertriebspartner von Infineon Technologies und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der AUIRLR3636 ist ein N-Kanal MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) von Infineon Technologies. Er ist Teil der HEXFET®-Serie.
– N-Kanal MOSFET
– 60V Drain-Source-Spannung
– 50A Dauer-Gleichstrombelastung
– Maximale On-Widerstand von 6,8 mΩ
– Maximale Gate-Charge von 49 nC
– Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
– Hohe Strombelastbarkeit
– Geringer On-Widerstand für hohe Effizienz
– Breiter Betriebstemperaturbereich
TO-252-3, DPAK (2 Anschlüsse + Kühlfahne), SC-63 Gehäuse
Flachmontage (Surface Mount)
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