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| Artikelnummer: | IPB029N06N3GATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $4.4745 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 118µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 100A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 188W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13000 pF @ 30 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 120A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IPB029 |
| IPB029N06N3GATMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPB029N06N3GATMA1 PDF - EN.pdf |




IPB029N06N3GATMA1
Infineon Technologies ist ein führender globaler Halbleiterhersteller, und Y-IC ist ein autorisierter Vertriebspartner von Infineon-Produkten, der Kunden hochwertige Produkte und exzellenten Service bietet.
Der IPB029N06N3GATMA1 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-LeistungsmOSFET aus Infineons OptiMOS™-Serie. Er wurde für eine breite Palette von Strommanagement- und Schaltanwendungen entwickelt und zeichnet sich durch hervorragende Effizienz und Zuverlässigkeit aus.
N-Kanal MOSFET mit 60V Drain-Source-Spannung
Kontinuierlicher Drain-Strom von 120A bei 25°C Gehäusetemperatur
Geringer On-Widerstand von 2,9mΩ bei 100A, 10V
Schnelle Schaltgeschwindigkeit und geringe Gate-Ladung von 165nC bei 10V
Thermisch effizientes Gehäuse TO-263-3 (D2PAK)
Hervorragende Effizienz und geringe Energieverluste für bessere Kosteneinsparungen
Zuverlässige und robuste Leistung auch unter harshen Betriebsbedingungen
Optimiert für Hochstromund Hochfrequenz-Stromumwandlung
Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Elektromotoren, Stromversorgungen und Industrieautomation
Tape-and-Reel-Verpackung (TR)
Gehäuse TO-263-3 (D2PAK) mit 2 Anschlüssen und einer Anschlusslasche
Oberflächenmontagetechnologie (SMT) für einfache Montage
Optimierte thermische und elektrische Eigenschaften für Hochleistungsanwendungen
Das Produkt IPB029N06N3GATMA1 ist aktiv im Portfolio von Infineon.
Es stehen alternative oder gleichwertige Modelle wie IPB029N06N3 und IPB059N06N3 zur Verfügung. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam.
Stromversorgungen und Konverter
Elektromotoren und Industrieautomation
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Telekommunikation und industrielle Stromversorgungssysteme
Das aktuellste und zuverlässigste Datenblatt für den IPB029N06N3GATMA1 finden Sie auf unserer Webseite. Wir empfehlen, das Datenblatt für detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsmerkmale herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, ein Angebot für den IPB029N06N3GATMA1 auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot, um von unseren zeitlich begrenzten Sonderkonditionen zu profitieren und die besten Preise sowie Verfügbarkeiten zu sichern.
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
IPB029N06N3G(032N06N) INFINEON
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
INFINEON TO-263-7L
INFINEON D2PAK(TO-263)
MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
TRENCH 40<-<100V
Infineon TO-263
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