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| Artikelnummer: | IRLML5103GTRPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.3526 |
| 10+ | $0.283 |
| 100+ | $0.1926 |
| 500+ | $0.1445 |
| 1000+ | $0.1084 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Prüfung | 75pF @ 25V |
| Spannung - Durchschlag | Micro3™/SOT-23 |
| VGS (th) (Max) @ Id | 600 mOhm @ 600mA, 10V |
| Vgs (Max) | 4.5V, 10V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Standardpaket | 1 |
| Serie | HEXFET® |
| RoHS Status | Cut Tape (CT) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 760mA (Ta) |
| Polarisation | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Teilstatus | Active |
| Andere Namen | IRLML5103GTRPBFCT |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | IRLML5103GTRPBF |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5.1nC @ 10V |
| IGBT-Typ | ±20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1V @ 250µA |
| FET-Merkmal | P-Channel |
| Expanded Beschreibung | P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | - |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30V |
| Kapazitätsverhältnis | 540mW (Ta) |
| IRLML5103GTRPBF Einzelheiten PDF [English] | IRLML5103GTRPBF PDF - EN.pdf |




IRLML5103GTRPBF
Infineon Technologies - Y-IC ist ein Qualitätsdistributor der Marke Infineon und bietet Kunden die besten Produkte und Serviceleistungen an.
Der IRLML5103GTRPBF ist ein P-Kanal N-Channel Enhancement-Mode MOSFET aus dem Sortiment von Infineon Technologies. Er gehört zur HEXFET®-Serie und zeichnet sich durch eine Drain-Source-Spannung von 30V sowie einen kontinuierlichen Drain-Strom von 760mA aus.
• P-Kanal MOSFET transistore • 30V Drain-Source-Spannung • 760mA Dauer-Drain-Strom • HEXFET®-Serienstandard
• Niedriger On-Widerstand für effizientes Schalten • Hohe Zuverlässigkeit und Robustheit • Ideal für verschiedene Energieverwaltungsanwendungen
• Tape & Reel (TR) Verpackung • Micro3™/SOT-23 Oberflächenmontagegehäuse • TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Gehäuse
• Das IRLML5103GTRPBF ist ein aktives Produkt. • Es gibt entsprechende und alternative Modelle. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über die Website.
• Energieverwaltung • Batterieladung • Tragbare Elektronik • Automobiltechnik
Das offizielle Datenblatt für den IRLML5103GTRPBF ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, dieses herunterzuladen.
Kunden werden geraten, Angebote direkt auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.
IR SOT-23
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
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