Deutsch
| Artikelnummer: | BSC037N08NS5ATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 80V 100A TDSON |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.6048 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 72µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TDSON-8-7 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 50A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 114W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4200 pF @ 40 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 100A (Tc) |
| Grundproduktnummer | BSC037 |
| BSC037N08NS5ATMA1 Einzelheiten PDF [English] | BSC037N08NS5ATMA1 PDF - EN.pdf |




BSC037N08NS5ATMA1
Infineon Technologies - Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Infineon-Produkten und bietet Ihnen die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der BSC037N08NS5ATMA1 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus Infineons OptiMOS™-Serie. Er zeichnet sich durch exzellente Leistungsmerkmale aus und eignet sich hervorragend für verschiedenste Anwendungen im Bereich der Leistungsverwaltung und -regelung.
N-Kanal MOSFET
80V Drain-Source-Spannung
100A Dauer-Durchlassstrom
Geringer On-Widerstand von 3,7 mΩ
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Kompakte 8-Pin PowerTDFN-Gehäuse
Effiziente Energieumwandlung und -steuerung
Zuverlässige und robuste Leistung
Optimiert für Hochstromanwendungen
Einfache Integration in Leistungssysteme
Taping & Reeling (TR) Verpackung
8-Pin PowerTDFN-Gehäuse für Oberflächenmontage
Kompaktes Design mit thermischen und elektrischen Eigenschaften, geeignet für Hochleistungsanwendungen
Dieses Produkt ist derzeit aktiv und steht nicht vor einer Einstellung.
Es sind vergleichbare oder alternative Modelle erhältlich. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam.
Netzteile
Motorsteuerungen
Industriegüter
Elektrofahrzeuge
Telekommunikationstechnik
Das aktuellste Datenblatt für den BSC037N08NS5ATMA1 finden Sie auf unserer Website. Wir empfehlen, das Datenblatt herunterzuladen, um alle technischen Details zu erhalten.
Kunden werden ermutigt, Kostenvoranschläge für den BSC037N08NS5ATMA1 auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren!
INFINEON TDSON-8
BSC037N03MSCG INFINEO
INF QFN
INFINEON FDSON8
INFINEON TDSON-8
MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
INFINEON QFN8
MOSFET N-CH 75V 100A TDSON
INFINEO TDSON-8
BSC036NE7NS3G INFINEO
INFINEO QFN
150V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL,
BSC039N06NS INF
MOSFET N-CH 80V 22A/100A TDSON
BSC036NE7S INFINEON
BSC03N06L35 INFINEO
BSC037N08NS5 INFINEO
MOSFET N-CH 25V 21A/100A TDSON
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel




2025/07/21
2025/06/24
2025/02/17
2024/12/30
BSC037N08NS5ATMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|