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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-EinzelHGT1S12N60B3S
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siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Harris Corporation HGT1S12N60B3S

Artikelnummer: HGT1S12N60B3S
Hersteller / Marke: Harris Corporation
Teil der Beschreibung.: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Datenblätte: None
RoHs Status: Lead free / RoHs compliant
Zahlungsmittel: PayPal / Credit Card / T/T
Versandweg: DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS
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  • Harris Corporation HGT1S12N60B3S technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Harris Corporation HGT1S12N60B3S .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V
    VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 12A
    Testbedingung 480V, 12A, 25Ohm, 15V
    Td (ein / aus) bei 25 ° C 26ns/150ns
    Schaltenergie 304µJ (on), 250µJ (off)
    Supplier Device-Gehäuse D2PAK (TO-263)
    Serie -
    Leistung - max 104 W
    Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Paket Bulk
    Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart Surface Mount
    Eingabetyp Standard
    IGBT-Typ -
    Gate-Ladung 68 nC
    Strom - Collector Pulsed (Icm) 110 A
    Strom - Kollektor (Ic) (max) 27 A
  • Rückgaberichtlinie
    Rücksendungen müssen innerhalb von 60 Tagen ab Rechnungsdatum beantragt werden und Folgendes enthalten:
    - Ursprüngliche Rechnungsnummer
    - Foto der Teile
    - Kurze Erklärung oder Prüfbericht mit Angabe des Rücksendegrundes
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  • Qualitätskontrolle (QC)

    Alle Produkte unterliegen strengen Wareneingangsprüfungen und Qualitätskontrollverfahren.
    Wir gewährleisten Teileauthentizität, korrekte Spezifikationen und zuverlässige Leistung durch standardisierte Tests und kontinuierliche Prozessverbesserung.
    Qualitätsgarantie

    Verpackung

    ESD-Antistatischer Schutz.
    Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt und mit ESD-Antistatikschutz versendet. Das Etikett auf der äußeren ESD-Verpackung enthält unsere Firmeninformationen: Teilenummer, Marke und Menge.

    Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, um sicherzustellen, dass sie sich in einwandfreiem Zustand befinden, und verifizieren, dass die Teile neu, original und gemäß den Datenblattspezifikationen sind. Nachdem bestätigt wurde, dass alles in Ordnung ist, verpacken wir die Artikel sicher und versenden sie per internationalem Expressversand.

HGT1S12N60B3S Produktdetails

Herstellerteilenummer

HGT1S12N60B3S

Hersteller

Y-IC ist ein Qualitätsverteiler von Produkten der Harris Corporation und bietet Kunden die besten Produkte und Services.

Detaillierte Beschreibung

Der HGT1S12N60B3S ist ein Hochspannungs-Gate-Typ-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) von Harris Corporation, der für eine breite Palette von Leistungselektronik-Anwendungen entwickelt wurde.

Schlüsselmerkmale

– Sperrspannung Collector-Emitter (V_CES): 600 V

– Maximaler Kollektorstrom (I_C): 27 A

– Puls-Strom (I_CM): 110 A

– Collector-Emitter-Sättigungsspannung (V_CE(sat)): maximal 2,1 V

– Max. Leistungsaufnahme (P_D): 104 W

– Einschalt-Schaltenergie (E_on): 304 μJ; Ausschalt-Schaltenergie (E_off): 250 μJ

– Standard-Gate-Input

– Gate-Ladung (Q_g): 68 nC

– Einschaltverzögerung: 26 ns; Ausschaltverzögerung: 150 ns

– Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 150°C

– Oberflächenmontage (TO-263-3, D2PAK) Gehäuse

Wichtigste Vorteile

– Hohe Spannungs- und Strombelastbarkeit

– Geringe Verluste bei Leitung und Schalten

– Robustes Design für zuverlässigen Betrieb

– Kompaktes Oberflächenmontage-Gehäuse

Verpackung

Der HGT1S12N60B3S wird in einem TO-263-3 (D2PAK) Gehäuse für Oberflächenmontage geliefert, das exzellente thermische und elektrische Eigenschaften bietet.

Lebenszyklus

Der HGT1S12N60B3S ist ein aktives Produkt. Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle wie den HGT1S12N60B6S und HGT1S12N60B4. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam.

Schlüsselanwendungsbereiche

– Leistungswandler

– Motorantriebssysteme

– USV (unterbrechungsfreie Stromversorgung)

– Schweißgeräte

– Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme

Datenblatt

Das offizielle Datenblatt für den HGT1S12N60B3S steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.

Jetzt Angebot anfordern

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Benutzerbewertung

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    2026/05/12

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    2026/05/8

  • Bria***lson

    Reliable FPGA. Worked smoothly in my MCU + signal integration project.

    2026/04/28

  • Jess***Miller

    It works well in my FPGA signal processing setup. Performance is stable and meets the spec without issues so far.

    2026/04/20

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    LM5145RGYR works fine in a DC-DC power design. Efficiency is good, but layout needs to be carefully optimized.

    2026/04/17

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    Used the FF900R12IP4 in an automotive inverter project. Power handling is solid and thermal performance is stable under load.

    2026/04/8

  • Vipe***rcuit

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