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| Artikelnummer: | MBR60060CT |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE MODULE 60V 300A 2TOWER |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | RoHS-konform |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $266.8218 |
| 200+ | $106.4639 |
| 480+ | $102.9063 |
| 1000+ | $101.1487 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 800 mV @ 300 A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 60 V |
| Technologie | Schottky |
| Supplier Device-Gehäuse | Twin Tower |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Verpackung / Gehäuse | Twin Tower |
| Paket | Bulk |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur - Anschluss | -50°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1 mA @ 20 V |
| Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 300A |
| Grundproduktnummer | MBR60060 |
| MBR60060CT Einzelheiten PDF [English] | MBR60060CT PDF - EN.pdf |




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MBR60060CTGeneSiC Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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