Deutsch
| Artikelnummer: | MBR300100CT |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE MODULE 100V 150A 2TOWER |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | RoHS-konform |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $195.0562 |
| 200+ | $77.8297 |
| 480+ | $75.2278 |
| 1000+ | $73.9438 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 840 mV @ 150 A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 100 V |
| Technologie | Schottky |
| Supplier Device-Gehäuse | Twin Tower |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Verpackung / Gehäuse | Twin Tower |
| Paket | Bulk |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 8 mA @ 20 V |
| Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 150A |
| Grundproduktnummer | MBR300100 |
| MBR300100CT Einzelheiten PDF [English] | MBR300100CT PDF - EN.pdf |




MBR300100CT
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten der Marke Genesic Semiconductor und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Das MBR300100CT ist eine Schottky-Diodes-Array mit gemeinsamer Kathode, geeignet für Hochleistungs- und Hochstromanwendungen, die schnelle Erholungszeiten und eine niedrige Vorwärtsspannung erfordern.
– Schottky-Diodentechnologie
– 1 Paar mit gemeinsamer Kathode
– 100V Gleichstrom-Rückwärtsspannung
– 150A Durchschnitts-Gleichstromdurchlass
– Schnelle Erholungszeit ≤ 500ns
– Niedrige Vorwärtssteuerungsspannung von 840mV bei 150A
– Hervorragend geeignet für Hochleistungs- und Hochstromanwendungen
– Schnelle Schaltzeiten für verbesserte Effizienz
– Niedrige Vorwärtsspannung für geringeren Energieverlust
– Zuverlässige Leistung in einem weiten Temperaturbereich
Twin Tower Gehäuse
– Chassismontage
– Ideal für Hochleistungs- und Hochstromanwendungen
Dieses Produkt ist derzeit aktiv und in Produktion.
– Es sind keine direkten Ersatz- oder Alternativmodelle verfügbar.
– Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam auf unserer Webseite.
– Industrielle Stromversorgungen
– Automotive Elektronik
– Telekommunikations-Stromversorgungssysteme
– USV-Systeme (Unterbrechungsfreie Stromversorgung)
Das neueste Datenblatt für das MBR300100CT ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden ermutigt, es herunterzuladen, um die neuesten technischen Spezifikationen und Leistungsdetails zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für das MBR300100CT auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem begrenzten Sonderangebot zu profitieren.
DIODE MODULE 20V 150A 2TOWER
SIRECTIFIER New
SIRECTIFI New
DIODE SCHOTTKY 20V 150A 2 TOWER
IGBT Modules
SIRECTIFIER New
IGBT Modules
SIRECTIFIER New
DIODE MODULE 20V 150A 2TOWER
DIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWER
DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER
SIRECTIFIER New
DIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWER
IGBT Modules
SIRECTIFI New
DIODE MODULE 100V 150A 2TOWER
DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER
IGBT Modules
IGBT Modules
DIODE SCHOTTKY 20V 150A 2 TOWER
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/01/22
2024/12/30
2025/02/27
2025/01/24
MBR300100CTGeneSiC Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|