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| Artikelnummer: | MRF8P20100HSR3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | NXP USA Inc. |
| Teil der Beschreibung.: | RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $3.5377 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Serie | * |
| Paket | Bulk |
| Serie | - |
| RoHs Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Bedingung | New Original Stock |
| Garantie | 100% Perfect Functions |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Vorlaufzeit | 2-3days after payment. |
| Zahlungsmittel | PayPal / Credit Card / Telegraphic Transfer |
| Versand per | DHL / Fedex / UPS |
| Hafen | HongKong |
| Anfrage-E-Mail | Info@Y-IC.com |
| MRF8P20100HSR3 Einzelheiten PDF [English] | MRF8P20100HSR3 PDF - EN.pdf |




MRF8P20100HSR3
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten von NXP Semiconductors und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der MRF8P20100HSR3 ist ein dualer RF-LDMOS-Hochleistungstransistor, optimiert für den Einsatz bei 2,03 GHz Anwendungen.
- Duale Konfiguration
Frequenz von 2,03 GHz
Verstärkung von 16 dB
Spannungsrating von 65 V
Leistungsabgabe von 20 W
- Zuverlässige Hochleistungs-LDMOS-Technologie
Geeignet für vielfältige 2,03 GHz Anwendungen
Kompakte Oberflächenmontagepackung für platzkritische Designs
- Gehäuse: NI-780S-4L
Oberflächenmontage-Gehäuse
Thermische und elektrische Eigenschaften, geeignet für Hochleistungs-RF-Anwendungen
- Dieses Produkt ist nicht mehr erhältlich (veraltet)
Kunden sollten sich an unser Vertriebsteam wenden, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten
- Drahtlose Infrastruktur
Sendestationen
Industrie-, Wissenschaftsund Medizinische Geräte (ISM)
Das offizielle Datenblatt für den MRF8P20100HSR3 steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, die detaillierten technischen Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebotseinholungen für den MRF8P20100HSR3 auf unserer Webseite zu tätigen. Holen Sie sich jetzt ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.
FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4
RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL
FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S
MRF8P20140WHS FREESCALE
FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S8
FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4
FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S-4
FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
RF 2-Element, S Band, N-Channel
FET RF 2CH 65V 1.92GHZ
FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230-8
FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S8
FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4
FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780S-4
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FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S-4
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MRF8P20100HSR3NXP USA Inc. |
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Zielpreis (USD)
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