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| Artikelnummer: | MRF281ZR1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | NXP USA Inc. |
| Teil der Beschreibung.: | FET RF 65V 1.93GHZ NI-200Z |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Prüfung | 26 V |
| Spannung - Nennwert | 65 V |
| Technologie | LDMOS |
| Supplier Device-Gehäuse | NI-200Z |
| Serie | - |
| Leistung | 4W |
| Verpackung / Gehäuse | NI-200Z |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Rauschmaß | - |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Gewinnen | 12.5dB |
| Frequenz | 1.93GHz |
| Aktuelle Bewertung (AMPs) | - |
| Strom - Test | 25 mA |
| Grundproduktnummer | MRF28 |
| MRF281ZR1 Einzelheiten PDF [English] | MRF281ZR1 PDF - EN.pdf |




MRF281ZR1
Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner für Produkte von NXP Semiconductors und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der MRF281ZR1 ist ein breitbandiger, Hochleistungs-RF-MOSFET-Transistor, der für den Einsatz in hoch effizienten, Hochleistungs-RF-Verstärkern entwickelt wurde, die bei Frequenzen bis zu 1,93 GHz betrieben werden.
Breitbandbetrieb bis zu 1,93 GHz
Hohe Ausgangsleistung von 4 W
Hohe Verstärkung von 12,5 dB
Nennspannung von 65 V
Geeignet für hoch effiziente, Hochleistungs-RF-Verstärker
Hervorragende Leistung und Zuverlässigkeit
Unterstützt durch die Qualität und das Fachwissen von NXP Semiconductors
Tape & Reel (TR) Verpackung
NI-200Z Gehäuse/Case
Chassis-Montage-Konfiguration
Dieses Produkt ist veraltet
Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam über unsere Webseite, um Informationen zu Ersatzoder Alternativmodellen zu erhalten
Hoch effiziente, Hochleistungs-RF-Verstärker
Drahtlose Kommunikationsgeräte
Rundfunksender
Das meistdatierteste Datenblatt für den MRF281ZR1 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
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Zielpreis (USD)
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