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| Artikelnummer: | MMRF1304NR1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | NXP Semiconductors |
| Teil der Beschreibung.: | MMRF1304 - WIDEBAND RF POWER LDM |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $37.3317 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Prüfung | 50 V |
| Spannung - Nennwert | 133 V |
| Technologie | LDMOS |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-270-2 |
| Serie | - |
| Leistung | 25W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-270AA |
| Paket | Bulk |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Rauschmaß | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Gewinnen | 25.4dB |
| Frequenz | 1.8MHz ~ 2GHz |
| Aktuelle Bewertung (AMPs) | 7µA |
| Strom - Test | 10 mA |
| MMRF1304NR1 Einzelheiten PDF [English] | MMRF1304NR1 PDF - EN.pdf |




MMRF1304NR1
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von NXP Semiconductors, einem führenden Hersteller von Halbleitern und elektronischen Komponenten. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der MMRF1304NR1 ist ein Hochfrequenz(Mikrowellen)-Leistungs-MOSFET, entwickelt für den Einsatz in Hochfrequenz- und Hochleistungsverstärkern.
LDMOS-Technologie
Betriebstemperatur von 512 MHz
Verstärkung von 25,4 dB
Testspannung von 50 V
Teststrom von 10 mA
Ausgangsleistung von 25 W
Nennausgangsspannung von 133 V
Oberflächenmontagegehäuse
Zuverlässige und effiziente Leistung bei Hochfrequenzund Hochleistungsanwendungen
Kompaktes Gehäuse für einfache Integration
Robuste LDMOS-Technologie für erhöhte Zuverlässigkeit und Langlebigkeit
Reelund Rutscheverpackung (Tape & Reel, TR)
Oberflächenmontage-Gehäuse TO-270AA
Thermische und elektrische Eigenschaften, geeignet für Hochleistungs-HF-Anwendungen
Der MMRF1304NR1 ist ein aktiv verfügbares Produkt. Es können gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich sein. Kontaktieren Sie bitte unser Verkaufsteam auf der Webseite für weitere Informationen.
Hochfrequenz-Leistungsverstärker
Rundfunkausrüstung
Drahtlossysteme
Industrieund wissenschaftliche Geräte
Das offizielle Datenblatt für den MMRF1304NR1 ist auf unserer Webseite erhältlich. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Informationen zu erhalten.
Fordern Sie jetzt ein Angebot über unsere Webseite an. Holen Sie sich ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt!
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230
FET RF 2CH 133V 230MHZ
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI780
FET RF 133V 512MHZ TO270-2
FET RF 2CH 133V 512MHZ NI-780-4
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
FET RF 65V 2.3GHZ NI-1230-4LS2L
FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI-1230-4
FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W
FET RF 133V 512MHZ NI-360
FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4G
RF MOSFET LDMOS DL 50V NI-1230
TRANS 470-860MHZ 600W 50V
FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI1230S-4
FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780S-4
RF MOSFET LDMOS DL 48V OM780-4
FET RF 2CH 133V 230MHZ
FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5
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MMRF1304NR1NXP Semiconductors |
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Zielpreis (USD)
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