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| Artikelnummer: | MHT1006NT1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | NXP USA Inc. |
| Teil der Beschreibung.: | FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Prüfung | 28 V |
| Spannung - Nennwert | 65 V |
| Technologie | LDMOS |
| Supplier Device-Gehäuse | PLD-1.5W |
| Serie | - |
| Leistung | 1.26W |
| Verpackung / Gehäuse | PLD-1.5W |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Rauschmaß | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Gewinnen | 21.7dB |
| Frequenz | 2.17GHz |
| Aktuelle Bewertung (AMPs) | - |
| Strom - Test | 90 mA |
| Grundproduktnummer | MHT1006 |
| MHT1006NT1 Einzelheiten PDF [English] | MHT1006NT1 PDF - EN.pdf |




RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ
NO DESCRIPTION
RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE RF PO
RF MOSFET LDMOS PLD1.5W
IC LDMOS TRANS 120V NI-780S
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
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NO DESCRIPTION
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
IC RF AMP 915MHZ OM-780G-4L
MHT1004N - RF Power LDMOS Transi
300W 200MHZ TO-247-3L
NO DESCRIPTION
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MHT1006NT1NXP USA Inc. |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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