Deutsch
| Artikelnummer: | AFT26HW050SR3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | NXP USA Inc. |
| Teil der Beschreibung.: | FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4S4 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $65.6211 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Prüfung | 28 V |
| Spannung - Nennwert | 65 V |
| Technologie | LDMOS |
| Supplier Device-Gehäuse | NI-780-4S4 |
| Serie | - |
| Leistung | 9W |
| Verpackung / Gehäuse | NI-780-4S4 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Rauschmaß | - |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Gewinnen | 14.2dB |
| Frequenz | 2.69GHz |
| Aktuelle Bewertung (AMPs) | - |
| Strom - Test | 100 mA |
| Konfiguration | Dual |
| Grundproduktnummer | AFT26 |
| AFT26HW050SR3 Einzelheiten PDF [English] | AFT26HW050SR3 PDF - EN.pdf |




AFT26HW050SR3
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von NXP Semiconductors-Produkten. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der AFT26HW050SR3 ist ein dualer LDMOS-Leistungstransistor (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor), der für Anwendungen bei 2,69 GHz entwickelt wurde.
Duale LDMOS-Konfiguration
Entwickelt für den Betrieb bei 2,69 GHz
Verstärkung von 14,2 dB
Effiziente und zuverlässige Leistung
Geeignet für Hochleistungs-RF-Anwendungen
Robuste LDMOS-Technologie
Tube & Reel (TR) Verpackung
Gehäuse NI-780-4S4
Chassis-Montage-Konfiguration
Dieses Produkt ist veraltet
Entsprechende oder alternative Modelle sind möglicherweise verfügbar, bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen
Drahtlose Kommunikation
Radarsysteme
Satellitenkommunikation
Das offizielle Datenblatt für den AFT26HW050SR3 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte Produktspezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den AFT26HW050SR3 auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.
RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
RF N CHANNEL, MOSFET
RF N CHANNEL, MOSFET
Freescal 375J-03
FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI1230S-4
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
RF N CHANNEL, MOSFET
FREESCALE NI780-4S4
RF MOSFET LDMOS 28V PLD1.5W
RF N CHANNEL, MOSFET
AFT27S006N-1000M
FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI1230S-4
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
RF N CHANNEL, MOSFET
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
RF MOSFET 2.6GHZ 100W NI780S-6
Freescal
RF N CHANNEL, MOSFET
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/02/13
2024/11/5
2024/12/17
2025/01/23
AFT26HW050SR3NXP USA Inc. |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|