Deutsch
| Artikelnummer: | RFD4N06L |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Harris Corporation |
| Teil der Beschreibung.: | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 987+ | $0.2774 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | I-Pak |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 1A, 5V |
| Verlustleistung (max) | 30W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Paket | Bulk |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4A (Tc) |
| RFD4N06L Einzelheiten PDF [English] | RFD4N06L PDF - EN.pdf |




RFD4N06L
Harris Corporation. Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Harris-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der RFD4N06L ist ein aktiver N-Kanal-MOSFET in einem TO-251-3 Kurzführung-Standardgehäuse, IPak, TO-251AA. Er verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 60 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von 4 A bei 25 °C.
N-Kanal-MOSFET
60 V Drain-Source-Spannung
4 A kontinuierlicher Drain-Strom bei 25 °C
Gehäuse: TO-251-3 Kurzführung, IPak, TO-251AA
Robuste und zuverlässige Leistung
Hohe Effizienz und niedriger Stromverbrauch
Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Anwendungen
Gehäusetyp: TO-251-3 Kurzführung, IPak, TO-251AA
Material: Kunststoff
Abmessungen: abhängig vom Gehäuse
Pin-Konfiguration: 3-polig
Thermische Eigenschaften: 30 W Wärmedissipation (Tc)
Elektrische Eigenschaften: 60 V Drain-Source-Spannung, 4 A Dauer-Strom
Das Produkt RFD4N06L ist aktiv.
Es können gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar sein. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam über die Website für weitere Informationen.
Stromverwaltung
Motorsteuerung
Schaltkreise
Verstärkerschaltungen
Das autoritativste Datenblatt für den RFD4N06L finden Sie auf unserer Website. Kunden werden ermutigt, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Wir empfehlen Kunden, Angebote direkt auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot, informieren Sie sich oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot.
EXCELLENT INTERLOCKING TAPE FOR
FAIRCHILD TO252
RF TXRX MOD BLUETOOTH CHIP ANT
N-CHANNEL POWER MOSFET
FAIRCHILD TO-252
FAIRCHILD TO220
SCOTCH EXTREME FASTENERS ARE GRE
RF TXRX MOD BLUETOOTH CHIP ANT
FAIRCHILD TO-252
12A, 60V, 0.15OHM, N-CHANNEL,
RFD4N06LSM FAI
RFD3055SM9A136 HARRIS
MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA
SCOTCH DUAL LOCK FASTENERS RFD70
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
MOSFET N-CH 60V 4A TO252AA
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA
MOSFET N-CH 60V 4A TO252AA
MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/02/16
2025/02/21
2024/08/25
2025/01/24
RFD4N06LHarris Corporation |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|