Deutsch
| Artikelnummer: | RF1S540SM |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Harris Corporation |
| Teil der Beschreibung.: | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.1159 |
| 200+ | $0.8197 |
| 500+ | $0.791 |
| 1000+ | $0.7766 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-263AB |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77mOhm @ 17A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 150W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1450 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 28A (Tc) |
| RF1S540SM Einzelheiten PDF [English] | RF1S540SM PDF - EN.pdf |




RF1S540SM
FAIRCHILD
Der RF1S540SM ist ein spezialisierter Hochseitentreiber-IC, der für die Steuerung von Power-MOSFET- oder IGBT-Schaltern in Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde.
Hochseitentreiber; Niederspannungsauslösung; Über- und Unterspannungsschutz; Thermischer Abschaltmechanismus; Hochgeschwindigkeitsbetrieb
Effiziente Energieübertragung; Zuverlässiger Schutz gegen Überstrom und Überhitzung; Kompaktes, leicht integrierbares Design
Gehäusetyp: TO-263; Material: Halbleiter; Abmessungen: Siehe Datenblatt für spezifische Gehäuseabmessungen; Pin-Konfiguration: Siehe Datenblatt für Pin-Belegungen; Thermische Eigenschaften: Siehe Datenblatt für thermische Bewertungen; Elektrische Eigenschaften: Siehe Datenblatt für elektrische Spezifikationen
Dieses Produkt steht kurz vor keiner Auslaufphase. Gleichwertige/alternative Modelle: RF1S540SM-TR, RF1S540SM-TDI. Für weitere Unterstützung wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam über unsere Website.
Stromversorgungen; Motorsteuerungen; Industrielle Automatisierung; Automotive-Elektronik
Das umfassendste Datenblatt für den RF1S540SM ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte Produktinformationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote auf unserer Website einzuholen. Holen Sie sich ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt.
FAIRCHILD TO-263
N-CHANNEL POWER MOSFET
VBSEMI TO-263AB
N-CHANNEL, POWER MOSFET
VB TO-263AB
18A, 200V, 0.180 OHM, N-CHANNEL
28A, 100V, 0.077 OHM, N-CHANNEL
CPL-E 263
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 200V 18A TO263AB
9A, 200V, 0.400 OHM, N-CHANNEL
N-CHANNEL POWER MOSFET
14A, 100V, 0.16OHM, N-CHANNEL PO
50A, 60V, 0.022 OHM, ESD RATED,
FAIRCHI TO-262
INTERSIL TO263
N-CHANNEL POWER MOSFET
N-CHANNEL POWER MOSFET
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/02/16
2025/02/21
2024/08/25
2025/01/24
RF1S540SMHarris Corporation |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|