Deutsch

| Artikelnummer: | NDB6030PL |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | 30A, 30V, 0.025OHM, P-CHANNEL, |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.3284 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 19A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 75W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1570 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 5 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30A (Tc) |
| Grundproduktnummer | NDB603 |
| NDB6030PL Einzelheiten PDF [English] | NDB6030PL PDF - EN.pdf |




NDB6030PL
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der NDB6030PL ist ein P-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung (Vdss) von 30 V und einem Dauer-Drain-Strom (Id) von 30 A bei 25 °C Gehäusetemperatur. Er zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand (Rds(on)) von 25 mΩ bei 10 V Gate-Source-Spannung (Vgs) und 19 A Drain-Strom aus.
P-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung (Vdss) von 30 V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) von 30 A bei 25 °C
Niedriger Rds(on) von 25 mΩ bei 10 V Vgs und 19 A Id
Eignet sich für Hochstrom-Schaltanwendungen und Strommanagement
Geringer Energieverlust durch niedrigen Rds(on)
Robustes Design mit einem Betriebstemperaturbereich von -65 °C bis 175 °C
Der NDB6030PL ist in einem TO-263 (D2PAK) Oberflächenmontagegehäuse mit 2 Anschlüssen und einer Anschlusslasche verpackt.
Das Produkt NDB6030PL ist veraltet. Kunden wird empfohlen, sich über unsere Vertriebsseite an unser Team zu wenden, um Informationen zu verfügbaren Ersatz- oder Alternativmodellen zu erhalten.
Strommanagement
Hochstrom-Schalttechnik
Fahrzeugtechnik
Industriesteuerung
Das maßgebliche Datenblatt für den NDB6030PL ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden empfohlen, es herunterzuladen.
Kunden werden geraten, Angebote über unsere Website anzufordern. Holen Sie sich noch heute ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt.
NS TO-263
NDB6030PL_NL FAIRCHIL
N-CHANNEL POWER MOSFET
NDB6020 NS
NDB6050 FSC
NDB56PFC-4DET: DDR2 512MB X16 FB
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMEN
DDR2 512MB X16 FBGA 8X12.5(X1.2)
MOSFET N-CH 30V 25A D2PAK
DDR2 512MB X16 FBGA 8X12.5(X1.2)
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
FAIRCHILD TO-263
MOSFET N-CH 30V 25A D2PAK
NDB603 FSC
FAIRCHILD TO-263
NS TO-263
MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK
MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/07/21
2025/06/24
2025/02/17
2024/12/30
NDB6030PLFairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|