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| Artikelnummer: | ISL9N307AS3ST |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.4206 |
| 200+ | $0.1628 |
| 500+ | $0.1571 |
| 1000+ | $0.1542 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-263AB |
| Serie | UltraFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 75A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 100W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 75A (Tc) |
| ISL9N307AS3ST Einzelheiten PDF [English] | ISL9N307AS3ST PDF - EN.pdf |




ISL9N307AS3ST
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Der ISL9N307AS3ST ist ein spezialisierter integrierter Schaltkreis (IC), der für den Einsatz in heißen Anwendungen entwickelt wurde. Er verfügt über ein kompaktes SOT-263-Gehäuse.
Speziell entwickelter Hochtemperatur-IC
Kompaktes Gehäuse im SOT-263-Format
Optimiert für Hochtemperaturumgebungen
Platzsparendes Gehäuse für effizientes Design
Gehäuse: SOT-263
Thermische und elektrische Eigenschaften geeignet für heiße Anwendungen
Der ISL9N307AS3ST ist ein aktives Produkt. Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Kunden werden gebeten, unser Verkaufsteam über die Website für weitere Informationen zu kontaktieren.
Hochtemperatur Elektronik
Industrielle Automatisierung
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Zielpreis (USD)
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