Deutsch

| Artikelnummer: | IRFS630A |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.4251 |
| 200+ | $0.1645 |
| 500+ | $0.1588 |
| 1000+ | $0.1559 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220F |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 3.25A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 38W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6.5A (Tc) |
| IRFS630A Einzelheiten PDF [English] | IRFS630A PDF - EN.pdf |




IRFS630A
Fairchild Semiconductor (Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Fairchild Semiconductor Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Services)
Der IRFS630A ist ein N-Kanal-MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). Er ist ein leistungsstarker Power-MOSFET, der für eine Vielzahl von Energieumwandlungs- und Steuerungsanwendungen entwickelt wurde.
200 V Drain-Source-Spannung (Vdss)
6,5 A Dauer-Drainstrom (Id) bei 25°C
Maximaler On-Widerstand (Rds(on)) von 400 mOhm bei 3,25 A, 10 V
Maximaler Gate-Ladung (Qg) von 29 nC bei 10 V
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Hohe Effizienz und geringer Stromverbrauch
Schnelles Schalten und niedrige Gate-Ladung
Robuste Konstruktion für verbesserte Zuverlässigkeit
Eignet sich für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen
Der IRFS630A ist in einem TO-220-3 Vollverpackung erhältlich, einem Durchsteckgehäuse. Die Verpackung bietet gute thermische und elektrische Eigenschaften.
Der IRFS630A ist ein aktives Produkt. Es sind vergleichbare oder alternative Modelle erhältlich, wie z.B. [Liste relevanter Alternativmodelle und deren Hauptspezifikationen]. Für weitere Unterstützung wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Website.
Netzteile
Motorsteuerungen
Vorschaltgeräte für Beleuchtungen
Haushaltsgeräte
Industrielle Steuerungssysteme
Das aktuellste und zuverlässigste Datenblatt für den IRFS630A finden Sie auf unserer Website. Kunden werden ermutigt, das Datenblatt für ausführliche technische Details herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den IRFS630A auf unserer Website anzufordern. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren und die Verfügbarkeit dieses hochwertigen Produkts zu sichern.
IRFS634B-FP001 FAI
9A, 200V, 0.4OHM, N-CHANNEL MOSF
N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFS623 VB
MOSFET N-CH 250V 2.8A TO220F
N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFS630 FSC
MOSFET N-CH 250V 2.8A TO-220F
IRFS610B FAIRCHILD
IRFS632 VB
IRFS634A/B FSC
IRFS614 to220
IRFS634 FAIRCHILD
TRANS MOSFET N-CH 250V 8.1A T/R
FAIRCHILD TO-220F
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
IRFS620 VB
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220F
IRFS631 VB
IRFS620B VB
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/07/21
2025/02/10
2025/01/24
2025/02/23
IRFS630AFairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|