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| Artikelnummer: | IRFP450B |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 500V 14A TO-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-3PN |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390 mOhm @ 7A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 205W (Tc) |
| Teilstatus | Obsolete |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3800pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 113nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 14A (Tc) |
| IRFP450B Einzelheiten PDF [English] | IRFP450B PDF - EN.pdf |




IRFP450B
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N-Kanal 500V 14A (Tc) 205W (Tc) Leistungs-MOSFET mit Durchgangslochgehäuse TO-3PN
N-Kanal MOSFET
500V Drain-Source-Spannung
14A Dauer-Drain-Strom (bei 25°C)
205W Leistungsabgabe (bei Tc)
Gehäuse mit Durchgangsloch TO-3PN
Hochspannungsund Hochstromfähigkeit
Für zahlreiche Leistungsschaltanwendungen geeignet
Zuverlässige und robuste Leistung
RoHS-konform und bleifrei
Verpackt im Rohr
TO-3PN Durchgangslochgehäuse
Maße: TO-3PN Gehäuse
Pins: 3-polige Konfiguration
Thermische Eigenschaften: 205W Leistungsabgabe (bei Tc)
Elektrische Eigenschaften: 500V Drain-Source-Spannung, 14A Dauer-Drain-Strom
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Verfügbare Ersatzund Alternativmodelle:
- IRFP450
- IRFP450A
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Schweißgeräte
Vorschaltgeräte für Beleuchtung
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