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| Artikelnummer: | FQP3N80C |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.3159 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220-3 |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8Ohm @ 1.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 107W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 705 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3A (Tc) |
| FQP3N80C Einzelheiten PDF [English] | FQP3N80C PDF - EN.pdf |




FQP3N80C
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N-Kanal 800V, 3A (Tc), 107W (Tc) Durchgangsloch-MOSFET im TO-220AB-Gehäuse
N-Kanal MOSFET
800V Drain-Source-Spannung
3A Dauer-Drainstrom (Tc)
107W Verlustleistung (Tc)
Durchgangsloch-Gehäuse TO-220AB
Hochspannungsbetrieb
Hohe Strombelastbarkeit
Effiziente Wärmeableitung
Robustes Durchgangsloch-Gehäuse
Rohtabak-Verpackung
Gehäusetyp TO-220AB
Durchgangsloch-Montage
Dieses Produkt befindet sich nicht in der Auslaufphase.
Verfügbare Ersatzund Alternativmodelle:
- FQP3N80C-ND
- FQP3N80CFS-ND
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Motorsteuerungen
Wechselrichter
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