Deutsch

| Artikelnummer: | FQP2N80 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.5236 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220-3 |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3Ohm @ 1.2A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 85W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.4A (Tc) |
| FQP2N80 Einzelheiten PDF [English] | FQP2N80 PDF - EN.pdf |




FQP2N80
Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Serviceleistungen.
Der FQP2N80 ist ein Hochspannungs-N-Kanal-MOSFET im Enhancement-Mode von onsemi. Er wurde für den Einsatz in verschiedenen Stromwandlungs- und Schaltanwendungen entwickelt.
– N-Kanal-MOSFET
– Drain-Source-Spannung von 800 V
– Kontinuierlicher Drain-Strom von 2,4 A bei 25°C
– Maximaler On-Widerstand von 6,3Ω bei 1,2A, 10V
– Maximaler Gate-Ladung von 15nC bei 10V
– Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
– Hochspannungsbetrieb
– Geringer On-Widerstand für effiziente Energieumwandlung
– Robustes Design für eine zuverlässige Leistung
Der FQP2N80 ist in einem TO-220-3 Durchsteckgehäuse verpackt. Er verfügt über eine Standard-Pin-Konfiguration und thermische Eigenschaften, die für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen geeignet sind.
Das Produkt FQP2N80 ist nicht mehr erhältlich. Kunden werden empfohlen, sich über unsere Verkaufsabteilung auf unserer Website nach gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erkundigen.
– Netzteile
– Motorsteuerungen
– Wechselrichter
– Schaltnetzteile
Das offizielle Datenblatt für den FQP2N80 steht auf unserer Website zum Download bereit. Wir empfehlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden aufgerufen, unverbindliche Angebote über unsere Website anzufordern. Holen Sie sich jetzt Ihr Angebot und nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Aktionsangebot.
FQP2N60B FSC
MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3
FAIRCHILD TO-220
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220-3
MOSFET P-CH 400V 2A TO-220
MOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3
MOSFET P-CH 250V 2.3A TO220-3
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220-3
MOSFET P-CH 250V 2.3A TO220-3
MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3
MOSFET N-CH 900V 2.8A TO220-3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
MOSFET N-CH 900V 2.2A TO-220
FQP2N65C VB
MOSFET P-CH 400V 2A TO220-3
FQP2N70 FSC
FAIRCHILD TO-220
MOSFET N-CH 900V 2.8A TO220-3
MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/02/13
2024/11/5
2024/12/17
2025/01/23
FQP2N80Fairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|