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| Artikelnummer: | FQD6N50CTM |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.3284 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252, (D-Pak) |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.25A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 61W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.5A (Tc) |
| FQD6N50CTM Einzelheiten PDF [English] | FQD6N50CTM PDF - EN.pdf |




FQD6N50CTM
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Produkten der Marke onsemi. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FQD6N50CTM ist ein Hochvolt-, N-Kanal-LeistungsmOSFET in einem Oberflächenmontagegehäuse TO-252-3 (DPAK). Er ist Teil der QFET®-Serie von onsemi für das Energiemanagement.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 500V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 4,5A
Maximaler On-State-Widerstand von 1,2Ω
Maximaler Gate-Ladung von 25nC
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Hochspannungsund Hochstromfähigkeit
Geringer On-State-Widerstand für höhere Effizienz
Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse
Geeignet für eine breite Palette von Energiemanagement-Anwendungen
Der FQD6N50CTM ist in einem TO-252-3 (DPAK)-Oberflächenmontagegehäuse verpackt. Dieses Gehäuse verfügt über 2 Anschlüsse sowie eine Anschlusslasche, was gute thermische und elektrische Eigenschaften gewährleistet.
Der FQD6N50CTM ist ein veraltetes Produkt. Es gibt jedoch gleichwertige und alternative Modelle von onsemi. Für weitere Informationen zu geeigneten Ersatzteilen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über die Webseite.
Schaltnetzteile
Motorantriebe
Wechselrichter
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das offizielle Datenblatt für den FQD6N50CTM ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.
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