Deutsch

| Artikelnummer: | FQD2N100TM |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $5.1505 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9Ohm @ 800mA, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 520 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.5 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.6A (Tc) |
| FQD2N100TM Einzelheiten PDF [English] | FQD2N100TM PDF - EN.pdf |




FQD2N100TM
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FQD2N100TM ist ein Hochvolt-N-Kanal-MOSFET aus der QFET®-Serie, geeignet für eine Vielzahl von Leistungsmanagement- und Schaltanwendungen.
Spannungsfestigkeit Drain-Source von 1000V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 1,6A bei 25°C
Geringer On-Widerstand von 9 Ohm bei 800mA, 10V
Maximale Gate-Ladung von 15,5nC bei 10V
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Hervorragende Hochspannungseigenschaften
Geringe Leitungsverluste
Zuverlässiges und robustes Design
Eignet sich für eine breite Palette von Anwendungen
Der FQD2N100TM ist in einem TO-252-3 Gehäuse, DPAK (2 Anschlüsse + Kühlfahne), SC-63 Oberflächenmontage verpackt.
Der FQD2N100TM ist ein aktives Produkt. Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich, wie z.B. der FQD1N100 und FQD1N100TM. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Website.
Netzteile
Motorantriebe
Vorschaltgeräte für Beleuchtung
Industrieautomatisierung
Fahrzeugelektronik
Das offizielle Datenblatt für den FQD2N100TM steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Wir empfehlen Kunden, dieses für detaillierte Produktinformationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote direkt auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot, um beim FQD2N100TM den besten Preis zu erhalten.
FAIRCHILD TO-252(DPAK)
FQD2N40 FAI
MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK
FQD24N08 FAIRCHILD
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK
MOSFET N-CH 300V 1.7A DPAK
FQD2N100 FAIRCHILD
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
FAIRCHILD TO-252
MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK
FQD2N30TF VB
FQD2N30 FAI
MOSFET N-CH 300V 1.7A DPAK
MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK
FAIRCHI TO252
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/01/23
2025/02/17
2025/01/24
2025/01/27
FQD2N100TMFairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|